Эльбрус

[SoaT]

*Как-то давненько наткнулся на ролик на Трубе
в котором рассказывалось про отечественный процессор новой архитектуры Эльбрус-3М.
И вот сегодня он мне вспомнился, и я принялся мучить Google :)
Оказалось, что это не какой-то плод фантазии,
а совершенно реальный процессор, разработка которого ведется и по сей день.
Знакомтесь.

87864

Эльбру́с 2000 (E2K) — российский микропроцессор, основанный на архитектуре VLIW (http://ru.wikipedia.org/wiki/VLIW) (EPIC), разработанный компанией МЦСТ (http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9C%D0%A6%D0%A1%D0%A2) при участии студентов МФТИ. Задумывался как дальнейшее развитие архитектуры Эльбрус-3 (http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D1%8C%D0%B1%D1%80%D1%83%D1%81_(%D0%BA %D0%BE%D0%BC%D0%BF%D1%8C%D1%8E%D1%82%D0%B5%D1%80)) в микропроцессорном исполнении. Использует технологию двоичной компиляции для совместимости с платформой x86.

Процессор Эльбрус-2000 основан на архитектуре ELBRUS (англ. ExpLicit Basic Resources Utilization Scheduling — «явное планирование использования основных ресурсов»), отличительной чертой которой является наиболее глубокое на сегодняшний день распараллеливание ресурсов для одновременно исполняющихся VLIW-инструкций. Пиковая производительность 23,7 GIPS (англ.).

Тест

Сравнительная производительность «Эльбрус-3М1» с микропроцессором «Эльбрус»/300 МГц и Pentium 4/1400 МГц на задачах пользователей:

87866
*к сожалению только такое качество


Основные характеристики микропроцессора «Эльбрус»

Технологический процесс | КМОП 0,13 мкм
Рабочая тактовая частота | 300 МГц
Пиковая производительность | 64 бита — 6,67 GIPS / 2,4 GFLOPS
| 32 бита — 9,5 GIPS / 4,8 GFLOPS
| 8/16 бит — 22,6 GIPS / 12,2 GFLOPS
Разрядность данных | целые — 32, 64
| вещественные — 32, 64, 80
Кеш-память | команд 1-го уровня — 64 Кбайт
| данных 1-го уровня −64 Кбайт
| 2-го уровня — 256 Кбайт
Кеш-таблица страниц | 512 входов
Пропускная способность | шин связи с кеш-памятью — 9,6 Гбайт/с
| шин связи с оперативной памятью — 4,8 Гбайт/с
Площадь кристалла | 189 мм²
Количество транзисторов | 75,8 млн
Количество слоев металла | 8
Тип корпуса / количество выводов | HFCBGA / 900
Размеры корпуса | 31×31×2,4 мм
Напряжение питания | 1,05 / 3,3 В
Рассеиваемая мощность | 6 Вт

Производство

Производится с июня 2008 года на заводе TSMC на Тайване из готовых библиотечных блоков. С ноября 2009 года планируется производство на строящемся в Зеленограде заводе компании Ангстрем, оборудование которого предназначенно для работы по 130-нм процессу и представляет из себя бывшее в употреблении оборудование завода Fab 30 компании AMD.

Ещё?
Тех кого заинтересовало, могу посоветовать прочитать "Эльбрус" сегодня (http://www.osp.ru/text/print/302/7314081.html)". А также :google: и ru.Wikipedia (http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D1%8C%D0%B1%D1%80%D1%83%D1%81_2000_%2 8%D0%BC%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D0%BF%D1%80%D0%BE% D1%86%D0%B5%D1%81%D1%81%D0%BE%D1%80%29) - в интернете достаточно информации по данной теме.

12079

*использовал материалы:
ru.wikipedia.org/wiki/Эльбрус_2000_(микропроцессор)
osp.ru/os/2009/02/7314081/

[Fafnir]

А если в 2 словах- линейку, вов потянет? :D

[SoaT]

Fafnir, я так полагаю, что пока только военную (настоящую) технику потянет ;) А уж потом я надеюсь и отечественные разработчики не подкачают :D

*эх, мечты, мечты...

[ReanimatioN]

вот если бы не

Производится с июня 2008 года на заводе TSMC на Тайване из готовых библиотечных блоков. С ноября 2009 года планируется производство на строящемся в Зеленограде заводе компании Ангстрем, оборудование которого предназначенно для работы по 130-нм процессу и представляет из себя бывшее в употреблении оборудование завода Fab 30 компании AMD.

а 45 нм тех процесс, он бы кушал еще меньше, вмещал бы еще больше транзисторов, ядро было бы меньше по площади (меньше затраты на производство), можно было бы нарастить частотный потенциал и т.д. в общем питаемся остатками западного оборудования и старыми тех. процессами, что очень как бы грустно...

а так, конечно, хочется верить что они все таки сделают что-то действительно хорошее и не дорогое и конечно же совместимое с операционками нынишними

и надо равняться на нынишние процессоры интел и АМД, а не тупиковые нетберстные убожества

[PAVEL]

«Ангстрем» скорее жив, чем мертв

Ассоциация предприятий микроэлектроники Semi опубликовала тезисы докладов, которые прозвучат на ее конференции ISS Europe 2012 в Мюнхене в конце февраля. В том числе — директора по развитию бизнеса «Ангстрем-Т» Николая Лисая. В тезисах его доклада говорится об $1 млрд инвестиций в фабрику, которая будет выпускать по 15 000 пластин диаметром 200 мм в месяц по технологии 110 нм на оборудовании AMD (сейчас, по данным группы «Ангстрем», ее предприятия выпускают транзисторы шириной 1000-600 нм). В будущем «Ангстрем-Т» планирует создать «бутик микроэлектроники», чтобы предоставлять «спектр научных, инженерных и производственных сервисов». А затем и внедрить линию для производства микросхем размером 45-28 нм.

Сосед «Ангстрема» — зеленоградский «Микрон» (часть «Ситроникса») недавно запустил совместную с «Роснано» фабрику по технологии 90 нм.

«Ангстрем-Т» планировал запустить фабрику на оборудовании AMD еще в конце 2008 г. — под этот проект для него была открыта кредитная линия ВЭБа на 815 млн евро. Это тот самый $1 млрд, поясняет представитель группы «Ангстрем» Алексей Дианов. Использовать предприятие успело только 292 млн евро — приобрело оборудование AMD, ныне хранящееся на складе в Нидерландах. Ни в 2008, ни в 2009 гг. фабрика не заработала, а обслуживать кредит «Ангстрем-Т» не смог, и в 2010 г. ВЭБ пригрозил забрать в собственность залог — 100% «Ангстрем-Т» с оборудованием AMD и лицензиями. Ситуацию спас Леонид Рейман — бывший министр связи (1999-2008 гг.) и советник президента (2008-2010 гг.), летом 2011 г. объявивший себя совладельцем одной из структур группы «Ангстрем». В октябре 2011 г. ВЭБ сообщил, что не только не заберет «Ангстрем-Т», но даже разморозит кредитную линию.

Финансирование возобновлено, но строительство еще не началось, говорит Дианов: пока идут тендеры на строительство инфраструктуры — основного корпуса, электростанции, газовой фабрики и т. д. Результаты будут к концу февраля 2012 г., обещает он. Основные сооружения будет строить российский генподрядчик, а чистые комнаты может создавать и иностранный, которого порекомендует M+W Group (немецкая группа, проектирующая строительные объекты). Телефон российского офиса M+W Group вчера не отвечал.

Пока деньги ВЭБа идут на финансирование текущих расходов — оплату хранения и страхования оборудования AMD, выплату налогов, зарплат и т. д., говорит Дианов и подтверждает сотрудник пресс-службы ВЭБа.

Стоимость фабрики 110 нм — не менее $500 млн и строительство займет два года, считает вице-президент «Ситроникса» Ирина Ланина. «Ситроникс» построил фабрику, работающую по технологии 90 нм, быстрее (примерно за 1,5 года), но у него уже была инфраструктура для чистой комнаты, объясняет она. А дальнейший переход на уровень 48 нм потребует строительства еще одного завода с нуля, уверена она.

Большинство крупных компаний в полупроводниковой индустрии выпускают микросхемы размером до 60 нм, говорит руководитель российского офиса Intel Дмитрий Конаш. Ширина транзисторов Intel — 32 нм, сейчас компания готовится к переходу на 22 нм. Но вопрос не столько в размере чипов, сколько в успешности бизнес-модели, подчеркивает Конаш.


http://www.vedomosti.ru/tech/news/1491736/angstrem_ozhivaet

Даже не верится ;)