[kellan]

Память DDR3 производства Micron Technology прошла проверку Intel

Цитата: Компания Micron Technology официальным пресс-релизом сообщила, что произведенные ею компоненты памяти DDR3 плотностью 1 Гбит успешно прошли тестирование на возможность совместного использования с настольными платформами Intel. Новая память нацелена на широкий круг приложений – от требовательных к ресурсам игр до научных суперкомпьютерных вычислений. По утверждению Micron, упомянутые чипы DDR3 плотностью 1 Гбит представляют собой наиболее экономичное в расчете на один бит памяти решение, выпускаемое по 78-нм техпроцессу Micron 6F2. Интересно, что большей плотности, эти компоненты имеют меньший размер кристалла посравнению с DDR2-продуктами плотностью 512 Мбит. Кроме того, они характеризуются невысокой потребляемой мощностью и подходят для модулей, рассчитанных на компоненты плотностью 512 Мб и 1 Гб. Изделия характеризует поддержка скоростей передачи 800 миллионов операций обмена в секунду (megatransfers per second, MT/s) и 1066 MT/s при тактовых частотах 400 и 533 МГц, соответственно, что вдвое превышает скорости DDR2. Напряжение питания DDR3 уменьшено по сравнению с DDR2 – с 1,8 В до 1,5 В, за счет чего энергопотребление модулей может быть снижено на величину до 30%. Кстати, подробно ознакомиться с особенностями нового поколения оперативной памяти с произвольным доступом можно в нашем специальном материале. Ознакомительные образцы чипов DDR3 плотностью 1 Гбит производства Micron уже доступны. Серийный выпуск должен начаться в начале будущего года. Тогда же компания рассчитывает показать первые приборы DDR3 плотностью 2 Гбит.

Источник: Micron Technology



Память Samsung DDR3 проходит сертификацию для работы с чипсетами Intel

Цитата: Вчера компания Samsung официальным пресс-релизом уведомила общественность о том, что 21 ее продукт стандарта DDR3 (Double Data Rate – Version 3) был сертифицирован корпорацией Intel. 20070514img_l.jpg В это число вошли 13 модулей памяти и 8 монолитных ЗУ, которые имеют плотность 512 Мбит/1 Гбит и характеризуются скоростью 800/1066 МГц. Samsung отмечает свою тесную работу над новой памятью стандарта DDR3 со специалистами Intel (для обеспечения полной совместимости с будущими чипсетами), которая "стала новым шагом эволюции технологий DDR SDRAM". В эти дни, 14-15 мая, компания Samsung Electronics показывает на выставке-конференции Microsoft WinHEC 2007 Conference высокопроизводительный настольный ПК с установленным ОЗУ 8 Гб, которое представлено четырьмя 2-Гб модулями памяти DDR3. 1333-Мбит/с модули, как отмечается, являются самыми быстрыми из DDR3, а такое решение будет оптимальным для современного игрового ПК.

Источник: Samsung



Оперативная память OCZ для CrossFire-систем

Цитата: Компания OCZ представляет новые модули оперативной памяти OCZ PC2-8500 AMD CrossFire Reaper HPC, сертифицированные для работы с компьютерами на базе платформы AMD и оснащенными двумя графическими CrossFire-видеокартами. Устройства работают на частоте 1066 МГц и отличаются довольно низкими таймингами 5-5-5, что говорит о высокой производительности плат. OCZ_CrossFire_Reaper.jpg OCZ CrossFire Reaper Однако высокая производительность зачастую означает высокий уровень потребляемой мощности и необходимость организации качественного охлаждения микросхем памяти. В данном случае разработчики использовали уникальную систему охлаждения Reaper HPC, включающую в свой состав два радиатора, соединенные теплопроводящими трубками. В заключение отметим, что модули памяти OCZ PC2-8500 AMD CrossFire Reaper HPC предоставляют пользователям объем "оперативки" в 2 Гбайт.

http://www.hwp.ru/scripts/news_show.php?7448