Может все вместе разберемся...?
Дадим более полную и четкую информацию по разгону и что обозначает каждый пункт.., на выложенном рисунке...
Я постараюсь обновлять первое сообщение.., по приходу новой инфы в этой теме...
Программа для разгона
Скрытый текст
Вы должны войти под своим логином или зарегистрироваться и иметь 25 сообщение(ий)
Правила форума |
Регистрация на форуме
Предупреждение: увидев этот блок скрытого текста, не стоит сразу бросаться набивать бессмысленные сообщения. Освойтесь на форуме, проникнитесь его атмосферой и пишите, если Вам действительно есть, что сказать. Если Модератор решит, что Вы набиваете сообщения, он удалит их все, а Вам выдаст либо предупреждение, либо сразу заблокирует Ваш аккаунт.
------
На примере DDR 512Mb Kingston (PC-3200, 400MHz)
Timings:
01) CAS Latency time (tCl), а CL2 и CL3 - время вводимой задержки в тактах (2 и 3 соответственно). Чем меньше задержка - тем больше скорость работы с памятью, но и тем больше риск, что данные попадут "не по адресу", что непременно вызовет сбой. Устойчивость к подобным сбоям - есть устойчивость по CL.
02) RAS-to-CAS Delay - Эта задержка вводится умышленно и необходима для того, чтобы было достаточно времени для однозначного определения адреса строки (сигнал RAS#) и столбца (сигнал CAS#) ячейки. Иными словами, данный параметр характеризует интервал между выставлением на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#. Понятно, что чем меньше данное значение, тем лучше, однако не стоит забывать, что за ним стоит возможность самих микросхем памяти реализовать установленную задержку, поэтому выбор здесь неоднозначен.
03) RAS Precharge Time - Параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS#, т.е. через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки. Данная установка может принимать значения 3 или 4 (в циклах шины), и во временном отношении аналогична предыдущей - чем меньше, тем лучше
04) RAS# Active time, к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC - Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time). По умолчанию устанавливается значение 6/8 - более медленное, но более стабильное, чем 5/6
05) 2T Timing – имеет два значения. Disable включает параметр 1Т в контроллере памяти процессоров на степпинге CG и выше. При этом доступ к памяти значительно ускоряется, но появляются проблемы с некоторыми модулями памяти. Параметр Enable задействует режим 2T.
Sub Timings:
06) Row Cycle Time (Trc) – Auto-Refresh Command Period (по терминологии AMD). Стандартными значениями являются 70нс или 7 тактов для частоты 100МГц, 65нс (8 тактов) для 133МГц, 60нс или 10 тактов для 166МГц и 55нс или 11 тактов для частоты 200МГц. В A64Tweaker его значение отображается в тактах. Ужесточение этого тайминга на один такт приносит прирост в два балла встроенного бенчмарка WinRAR.
07) Row Refresh Cycle Time (Trfc) – Auto-Refresh Command Period (по терминологии AMD). Стандартными значения являются: 80нс или 8 тактов для 100МГц, 75нс или 10 тактов для 133МГц, 72нс или 12 тактов для 166МГц и 70нс или 14 тактов для 200МГц. Уменьшение тайминга на единицу дает один-два балла в WinRAR.
08) RAS to RAS Delay (Trrd) - Active-to-Active of a Different Bank (по терминологии AMD). Стандартные значения: 2 такта для 166МГц, 2-3 такта для 200МГц. Ужесточение тайминга с трех тактов до двух не подарило мне ни одного балла в WinRAR. Детальная проверка выяснила, что на скорость памяти этот тайминг либо не влияет, либо влияет очень незначительно.
09) Refresh Rate (Tref) – устанавливается в пределах 100МГц 15.6us – 200МГц 1.95us и при этом ни на что не влияет.
10) Idle Cycle Limit – стандартная установка 16 clks, на некоторых матерях 256 clks. При разгоне абсолютно ни на что не влияет.
11) Write Recovery Time (Twr) - этот тайминг имеет стандартные значения 2 такта для 100 и 133МГц и 3 такта для 166 и 200МГц. A64Tweaker изменяет Twr в интервале 2-3, не более. Прироста производительности после уменьшения тайминга до двух тактов зафиксировано не было.
12) Write to Read Delay Time (Twtr) – может принимать значения 2 такта для 200МГц и 1 такт для прочих частот. Диапазон значений программы этими двумя и ограничивается. На моей системе при достаточно фривольных таймингах установка значения "1" вызывала перезагрузку. После установки модулей памяти A-DATA DDR-500 CL2.5, один такт установить все же удалось. Прирост составил 2 балла WinRAR. Да уж...
13) Read to Write Delay Time (Trtw) – Ужесточение тайминга с трех тактов до двух подарило 3 балла в WinRAR.
14) Read Write Queue Bypass – имеет стандартное значение 8х. Повышение/понижение его на производительности не сказывается.
15) Read Preamble имеет стандартное значение 5.5-6нс. Каждые 0.5 "стоят" 6-7 баллов WinRAR.
16) Max Async Latency – этот довольно непокорный параметр отсылал тестовую систему на перезагрузку при любом его изменении. Выставив этот параметр равным пяти (изначально было 7нс)
17) Bypass Max – еще один параметр, который не дал прироста в производительности. О сути этого параметра молчат и даташиты AMD и "всемирная паутина". Стандартный параметр 4х.