[AndyK]

Цитата: Специалистам компании Toshiba удалось разработать технологию изготовления транзисторов из нанопровода — такие транзисторы считаются основными кандидатами на использование в больших интегральных схемах, рассчитанных на изготовление по нормам 16 нм и менее. Structure-of-a-silicon-nanowire-transistor.jpg Общеизвестно, что при уменьшении размеров планарных транзисторов ток утечки межу истоком и стоком в закрытом состоянии становится недопустимо большим. Чтобы обойти эту проблему, разработчики рассматривают возможность для увеличения площади затвора за счет применения трехмерных структур — например, в транзисторах FinFET затвор «обернут» вокруг трех стенок канала. В транзисторе из кремниевого нанопровода утечки уменьшены, поскольку тонкий канал управляется окружающим его затвором. К сожалению, паразитное сопротивление, особенно в районе боковых стенок затвора, снижает ток в открытом состоянии. По словам Toshiba, эту проблему удалось преодолеть за счет оптимизации процесса формирования затвора и существенного уменьшения толщины боковых стенок, с 30 нм до 10 нм. Низкое паразитное сопротивление стало результатом эпитаксиального наращивания стока и истока, и привело к увеличению тока в открытом состоянии на 40%. Еще на 25% увеличить ток удалось за счет изменения ориентации кристаллической решетки в нанопроводе.

http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?13/41/83