[kellan]

Цитата: В начале этой недели, корейская компания Samsung приоткрыла завесу тайны над своим новым 4 GB модулем памяти DDR2, выполненным по технологии "through-silicon via" (TSV), что можно перевести как "внутрикремниевые межсоединения". В новом 4 GB модуле использованы четыре пары чипов DDR2 по 512 MB каждый. DRAM-чипы упакованы в виде стэка - традиционные проводные соединения между чипами заменены на сквозные микростержни, которые создаются путем заливки металла-проводника в предварительно вытравленные микроскопические отверстия. Такое решение позволяет значительно повысить производительность и уменьшить габариты упаковки. Помимо этого, внутри модуля DRAM все TSV-контакты имеют дополнительные алюминиевые экраны, которые устраняют негативный эффект снижения производительности за счет возникающих помех. 108073.jpg Специалисты компанни Samsung считают, что разработанная технология способна не только поддерживать память стандарта DDR3, но, в принципе, является технологией для производства высокопроизводительных систем, обладающих заметно меньшим уровнем энергопотребления по сравнению с предшественниками.

http://www.techlabs.ru/news/hardware/16361/