Модули оперативной памяти

[Yagr]

ram-auf.jpg

Операти́вная па́мять (также оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) — в информатике — память, часть системы памяти ЭВМ, в которую процессор может обратиться за одну операцию (jump, move и т. п.). Предназначена для временного хранения данных и команд, необходимых процессору для выполнения им операций. Оперативная память передаёт процессору данные непосредственно, либо через кэш-память. Каждая ячейка оперативной памяти имеет свой индивидуальный адрес.

ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок или входить в конструкцию однокристальной ЭВМ или микроконтроллера.

Подробнее о типах памяти

На сегодня наибольшее распространение имеют два вида ОЗУ:

SRAM (Static RAM)

ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто/ или нет статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи.

DRAM (Dynamic RAM)

Более экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов необходимо регенерировать через определённый интервал времени — для восстановления. Регенерация выполняется путём считывания заряда (через транзистор). Контроллер памяти периодически приостанавливает все операции с памятью для регенерации её содержимого, что значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память на конденсаторах получила своё название Dynamic RAM (динамическая память) как раз за то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени.

Таким образом, DRAM дешевле SRAM и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше битов, но при этом её быстродействие ниже. SRAM, наоборот, более быстрая память, но зато и дороже. В связи с этим обычную память строят на модулях DRAM, а SRAM используется для построения, например, кэш-памяти в микропроцессорах.

В этой теме размещаем новости о модулях оперативной памяти

[Soul]

До сих пор каждый новый вид оперативной памяти приносил снижение номинального напряжения. Например, при переходе от DDR-2 к DDR-3 оно было снижено с 1.8 до 1.5 В. Впрочем, некоторые производители памяти утверждали, что из-за роста тактовых частот DDR-3 всё равно будет потреблять больше электроэнергии, и требовать более эффективного охлаждения. Случайность это или нет, но именно на период начала экспансии DDR-3 пришёлся расцвет систем охлаждения оперативной памяти.

Комитет JEDEC, занимающийся вопросами сертификации новых стандартов в области памяти, на этой неделе опубликовал пресс-релиз, в котором объявил о разработке новой разновидности DDR-3 с пониженным напряжением питания. Авторы документа сообщают, что улучшения в технологическом процессе изготовления памяти позволили снизить напряжение с 1.5 до 1.35 В. Для новых модулей памяти решено использовать обозначение вида PC3L-xxxx или DDR-3L.

Новое значение номинального напряжения будет зашито в SPD, при этом DDR-3L будет совместима со всеми материнскими платами, поддерживающими DDR-3. Это не последний шаг на пути к дальнейшему повышению экономичности DDR-3, ибо JEDEC планирует в будущем снизить номинальное напряжение до 1.25 В, или даже более низкой величины. Производители материнских плат должны закладывать в свои продукты возможность работы с более низкими напряжениями. Судя по всему, стандарт DDR-3 пришёл на рынок надолго. В конце этого года поддержку DDR-3 получат процессоры AMD, а перспективные процессоры Intel поколения Nehalem тоже выбрали DDR-3 в качестве поддерживаемого типа памяти.

Источнк

[Chi No Ame 13]

посоветуйте, какие плашки воткнуть в 925XE Neo Platinum-54g ? На кармане 2,5к и хочется потратить их с пользой)

[AndyK]

CSX выпустила память Diablo DDR3-2000 для систем с Intel Core i7

Цитата: Компания Compustocx (CSX) решила пополнить серию оверклокерской памяти Diablo моделями, рассчитанными на пониженное напряжение питания. Эту память можно будет без опаски использовать в системах на базе процессоров Intel Core i7. Трехканальные наборы объемом 3 и 6 ГБ, получившие названия DIABLO3-2000-3GB-3KIT и DIABLO3-2000-6GB-3KIT включают по три модуля. Модули имеют характерный для серии Diablo внешний вид, определяемый радиаторами. Untitled-1_024.jpg В модулях используется память производства Samsung. По восемь микросхем плотностью 1 Гбит распаяно на модулях объемом 1 ГБ, столько же микросхем используется в модулях объемом 6 ГБ, но их плотность равна 2 Гбит. По умолчанию, модули запрограммированы на работу на частоте 1333 МГц с задержкой CAS 9T. Производитель гарантирует работоспособность наборов при частоте до 2000 МГц с задержками 9-9-9-24 при напряжении 1,64 В. Untitled-2_028.jpg Компания уже начала ограниченные поставки новых наборов.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?11/67/79

[kellan]

Цитата: Компания Silicon Power представила свою первую серию «оверклокерской» памяти, получившую название Xpower. Новинка ориентирована на энтузиастов компьютерных игр и других пользователей, предъявляющих повышенные требования к объему и быстродействию памяти. SP002GBLXU106S02.jpg В серию вошли одиночные модули Silicon Power Xpower DDR2-1066 МГц объемом 1 ГБ и двухканальные наборы из двух таких модулей суммарным объемом 2 ГБ. Основой для модулей служат восьмислойные печатные платы. SP001GBLXU106S02-package.jpg Изделия характеризуются высоким быстродействием, улучшенным отводом тепла и пониженным энергопотреблением. Напряжение питания модулей может лежать в пределах 1,9-2,0 В. При напряжении 2,0 В они способны работать с задержками CAS 5-5-5-15. Охлаждение микросхем памяти обеспечивают алюминиевые радиаторы. SP001GBLXU106S02_2-package.jpg По словам Silicon Power, память Xpower DDR2-1066 МГц проходит тщательное тестирование, позволяющее гарантировать надежную работу. Компания сопровождает наборы пожизненной гарантией.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?11/67/82

[Leshii]

Цитата: По заявлению тайваньской компании Apacer Technology, она стала первой из производителей оперативной памяти, представившей регистровые DDR2-модули (Registered DIMM) объёмом 8 Гб. Новые планки относятся к категории DDR2-667 CL5 (PC2-5300) с аппаратной коррекцией ошибок (ECC) и предназначены для высокопроизводительных серверов и рабочих станций, построенных на базе процессоров AMD Opteron. До выхода 8-Гб продуктов ассортимент производителя с многолетним опытом работы на серверном рынке возглавляли 4-Гб модули DDR2-667 ECC Registered DIMM. Для серверов на процессорах Intel Xeon самыми ёмкими остаются полностью буферизированные (FB-DIMM) модули DDR2-667/533 объёмом 4 Гб. Новые планки от Apacer основаны на тщательно отобранных DRAM-чипах с организацией 256Mx4, выпущенных компанией Elpida Memory с использованием норм 70-нм техпроцесса. Данные микросхемы позволили создать передовые продукты, сочетающие в себе высокую ёмкость, экономичность, стабильность и надёжность. Перед тем, как покинуть заводское помещение, оперативная память от тайваньского производителя проходит комплекс строгих тестов, в том числе в условиях, приближённых к реальной работе. Кроме того, выпускаемые продукты подвергаются различным испытания на стойкость к внешнему электрическому, механическому и температурному воздействию. Пресс-служба компании особо отмечает, что её модули памяти сертифицированы лабораторией CMTL (Computer Testing Labs). 72944.jpg Основные характеристики новых 8-Гб модулей от Apacer: * Тип модулей: DDR2-667 ECC Registered DIMM; * Код продукта: 78.C1GA1.42D; * Объём: 8 Гб; * Задержка CAS CL5; * DRAM-чипы Elpida с организацией 256Mx4; * Технология производства чипов: 70 нм; * Напряжение питания: 1,8 В (± 0,1 В); * Число контактов: 240; * Высота печатной платы: ~54 мм; * Гарантия производителя на весь жизненный цикл; * Соответствие стандарту RoHS.

http://www.wm-board.ru/index.php?sho...aded&pid=49889

[AndyK]

Цитата: Рынок памяти в прошлом квартале упал на 20% по сравнению с четвёртым кварталом 2008 года, и на 44% по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года. Производители памяти вынуждены искать пути экономии и получения дополнительных доходов. Сделать это удаётся не всем - как известно, компания Qimonda оказалась на пороге банкротства, немногим лучше обстоят дела и у материнской компании Infineon. Как сообщает сайт CNet, третий по величине производитель памяти, компания Micron, собирается начать поставки памяти для видеокарт. Первые микросхемы типа DDR-3 будут выпускаться по 50 нм технологии, а их низкое номинальное напряжение (1.35 В) позволит достичь существенной экономии электроэнергии по сравнению с памятью типа GDDR-3, работающей при напряжении 1.8 В. Потребителями микросхем DDR-3 производства Micron станут партнёры AMD и NVIDIA. На первом этапе будет налажен выпуск микросхем DDR3-1600, в дальнейшем появится более быстрая память этого типа. Micron также рассчитывает наладить выпуск памяти типа GDDR-3 и GDDR-5. Из всей производимой памяти DRAM около 4% направляется на нужды рынка видеокарт, но в условиях кризиса даже такой узкий сегмент рынка даёт возможность дополнительно заработать. Micron собирается поставлять память для видеокарт, расположенных в верхней части среднего ценового сегмента.

http://overclockers.ru/hardnews/33057.shtml

[AndyK]

Цитата: OCZ Technology Group сообщила о выпуске «ультрапроизводительной и надёжной памяти» класса DDR2, которая значительно расширила и без того немалый ее ассортимент. OCZ_Blade_single_b.jpg Новые модули памяти предлагаются в наборах по 4 ГБ и рассчитаны на энтузиастов, которым бы хотелось получить максимальную производительность подсистемы памяти. Для этого есть достаточно оснований — частота памяти равняется 1200, 1150 и 1066 МГц соответственно, что значительно выше стандартных 800 МГц. Также производитель, в качестве особенности, отмечает низкое напряжение питания новых модулей. Так, память серии Blade, OCZ DDR2 PC2-9600, работающая на частоте 1200 МГц, имеет напряжение всего 1,8 В (при 1,85 В EVP). Список представленной памяти и остальные параметры: * OCZ PC2-9600 Blade Series Low Voltage (2x2 ГБ), тайминги CL-5-5-5-18, 1,8 В * OCZ PC2-9200 Blade Series Low Voltage (2x2 ГБ), тайминги CL-5-5-5-18, 1,8 В * OCZ PC2- 8500 Blade Series Low Voltage (2x2 ГБ), тайминги CL-5-5-5-18, 1,8 В * OCZ PC2-9600 Platinum Series Low Voltage (2x2 ГБ), тайминги CL-5-5-5-18, 1,8 В * OCZ PC2-9200 Platinum Series Low Voltage (2x2 ГБ), тайминги CL-5-5-5-18, 1,8 В * OCZ PC2-8500 Platinum Series Low Voltage (2x2 ГБ), тайминги CL-5-5-5-18, 1,8 В Сообщается также, что модули серий OCZ Blade и Platinum на 100% протестированы вручную и обеспечиваются пожизненной гарантией.

http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?11/92/25

[Za9]

Цитата: Строго говоря, память для платформы LGA 1156 никакими экзотическими качествами не обладала: распространённая память типа DDR-3 просто объединялась в двухканальные комплекты и заимствовала частоты с таймингами у трёхканальных наборов для платформы LGA 1366. Компания Corsair такую память тоже должна была представить, но в момент первого знакомства с предполагаемым ассортиментом предложений нас смутили низкие тактовые частоты. Как сообщает официальный пресс-релиз, компания предложит и модули типа DDR3-2000 в двухканальных комплектах с номинальным напряжением не более 1.65 В. Первичный ассортимент наборов памяти, рекомендуемых Corsair к применению в материнских платах с разъёмом LGA 1156, выглядит так: * XMS (CMX4GX3M2A1600C9) -> 2 x 2 Гб, DDR3-1600, 9-9-9-24; * XMS (CMX4GX3M2A1600C8) -> 2 x 2 Гб, DDR3-1600, 8-8-8-24; * Dominator (CMD4GX3M2A1600C8) -> 2 x 2 Гб, DDR3-1600, 8-8-8-24; * Dominator GT (CMG4GX3M2A2000C8) -> 2 x 2 Гб, DDR3-2000, 8-8-8-24; * XMS (CMX8GX3M4A1333C9) -> 2 x 4 Гб, DDR3-1333, 9-9-9-24; * XMS (CMX8GX3M4A1600C9) -> 2 x 4 Гб, DDR3-1600, 9-9-9-24. Другими словами, среди новых предложений Corsair владельцы процессоров Core i7 и Core i5 в исполнении LGA 1156 найдут как скоростные двухканальные наборы памяти объёмом 2 х 2 Гб, так и более медленные наборы объёмом 2 х 4 Гб. Модули памяти серий Dominator и Dominator GT можно оснастить дополнительными компонентами системы охлаждения: рёбрами радиатора увеличенной длины, водоблоком или термоэлектрическим кулером, работающим по принципу модуля Пельтье.

Источник: overclockers.ru

[Za9]

Цитата: Специализирующаяся на модулях памяти компания Patriot Memory объявила о выпуске наборов из двух модулей, предназначенных для игровых систем на чипсете Intel P55. Наборы, вошедшие в серию Sector 5, предназначены для использования в двухканальных конфигурациях. Будет доступно два варианта модулей. Первые, характеризующиеся «очень малым задержками», имеют рабочие частоты от 1333 до 2000 МГц, и оснащены радиаторами Patriot Viper II. Кроме того, модели, рассчитанные на частоту 1600 МГц и выше, комплектуются ПО Futuremark 3DMark Vantage. Второй вариант компания называет модулями с «улучшенными задержками» или серией G. Эти модули внешне похожи на более дорогие, но стоить будут дешевле, поскольку их скоростные характеристики несколько скромнее. Patriot_Sector_5_G_series_DDR3_kits_01.jpg Полный список новинок выглядит так: PVV34G2000LLKB — Sector 5 Viper II, 4 ГБ (2х 2 ГБ), 2000 МГц, 8-8-8-24, Futuremark Vantage; PVV34G1800LLKB — Sector 5 Viper II, 4 ГБ (2х 2 ГБ), 1800 МГц, 8-8-8-24, Futuremark Vantage; PVV34G1600LLKB — Sector 5 Viper II, 4 ГБ (2х 2 ГБ), 1600 МГц, 7-7-7-20, Futuremark Vantage; PVV34G1333LLK — Sector 5 Viper II, 4 ГБ (2х 2 ГБ), 1333 МГц, 7-7-7-20; PGV34G1600ELK — Sector 5 G, 4 ГБ (2х 2 ГБ), 1600 МГц, 9-9-9-24; PGV34G1333ELK — Sector 5 G, 4 ГБ (2х 2 ГБ), 1333 МГц, 9-9-9-24.

Источник: www.ixbt.com

[Za9]

Цитата: Рецепт идеальной памяти для процессоров Intel со встроенным контроллером памяти известен ещё со времён анонса процессоров Core i7 в исполнении LGA 1366, которым требовались трёхканальные наборы DDR-3. Частота памяти должна быть высокой, задержки низкими, а номинальное напряжение не должно превышать 1.65 В. Предлагаемые в последнее время двухканальные наборы DDR-3 для платформы LGA 1156 пытались следовать этому описанию во всём, кроме тактовой частоты - большинство из них только подобралось к рубежу DDR3-2000, не перешагивая его. Смелости набралась компания Team Group, которая ранее была замечена в пристрастиях к высоким частотам. Она выпустила серию двухканальных комплектов памяти Xtreem LV, сочетающих высокие тактовые частоты с низкими таймингами и напряжением питания не более 1.65 В. team_01.jpg * PC3-12800 -> 2 x 1 Гб, DDR3-1600, 6-7-6-18, 1.65 В; * PC3-12800 -> 2 x 2 Гб, DDR3-1600, 6-7-6-18, 1.65 В; * PC3-12800 -> 2 x 1 Гб, DDR3-1600, 7-7-7-21, 1.65 В; * PC3-12800 -> 2 x 2 Гб, DDR3-1600, 7-7-7-21, 1.65 В; * PC3-15000 -> 2 x 1 Гб, DDR3-1866, 8-8-8-24, 1.65 В; * PC3-15000 -> 2 x 2 Гб, DDR3-1866, 8-8-8-24, 1.65 В; * PC3-15000 -> 2 x 1 Гб, DDR3-1866, 7-7-7-21, 1.65 В; * PC3-15000 -> 2 x 2 Гб, DDR3-1866, 7-7-7-21, 1.65 В; * PC3-16000 -> 2 x 1 Гб, DDR3-2000, 9-9-9-24, 1.65 В; * PC3-16000 -> 2 x 2 Гб, DDR3-2000, 9-9-9-24, 1.65 В; * PC3-17000 -> 2 x 1 Гб, DDR3-2133, 9-9-9-24, 1.65 В; * PC3-17000 -> 2 x 2 Гб, DDR3-2133, 9-9-9-24, 1.65 В; * PC3-17600 -> 2 x 1 Гб, DDR3-2200, 9-9-9-24, 1.65 В; * PC3-17600 -> 2 x 2 Гб, DDR3-2200, 9-9-9-24, 1.65 В. Все модули памяти этой серии выполнены на восьмислойной печатной плате, снабжены алюминиевыми теплораспределителями и наделены пожизненной гарантией от производителя.

Источник:overclockers.ru

[Za9]

Цитата: Постоянную нехватку свободной оперативной памяти испытывают лишь определённые категории пользователей: профессионалы в области компьютерной графики и видео, системные администраторы и любители игр. Прочие же пользователи готовы довольствоваться неким оптимальным по цене комплектом оперативной памяти, позволяющим большинству типовых задач работать с приемлемым быстродействием. Компания Corsair, явным образом заинтересованная в реализации своих комплектов оперативной памяти, регулярно проводит исследования на тему "Какой максимальный объём памяти не повредит среднестатистическому пользователю?" Недавно вышедшие результаты подобных изысканий сравнивают величину прироста быстродействия при переходе от 4 Гб к 8 Гб памяти. corsair_01.gif Тестовая система использовала трёхъядерный процессор Phenom II X3 710 с интегрированным двухканальным контроллером памяти, комплект из двух модулей DDR3-1600, твёрдотельный накопитель Corsair P256, видеокарту MSI GeForce GTX 280 и 64-разрядную версию операционной системы Windows 7 Ultimate. Напомним вам, что 32-разрядные операционные системы "видят" лишь 3 Гб оперативной памяти, а потому любая попытка использовать более ёмкий комплект памяти сопряжена с необходимостью перехода на 64-разрядную операционную систему. Краткие итоги исследования таковы. Переход от 4 Гб к 8 Гб оперативной памяти позволит компьютеру гораздо быстрее уходить в спящий режим и "просыпаться". Казалось бы, мелочь, но именно в этой категории тестов 8 Гб памяти обеспечивают самый заметный прирост: время пробуждения системы сокращается с 22 до 7,73 секунды. Если вы часто переводите компьютер в режим сна, увеличение объёма оперативной памяти позволит выиграть драгоценное время. Загрузка уровней в игре Crysis Warhead с 8 Гб памяти происходит на 16% быстрее, загрузка фотографий в Photoshop - на 7,3% быстрее. Кроме того, располагая системой с 8 Гб оперативной памяти, можно эксплуатировать одновременно несколько операционных систем, заручившись поддержкой технологии виртуализации. Одновременный доступ к ресурсам каждой обеспечат несколько мониторов - с видеокартой поколения Radeon HD 58xx, например, можно "подружить" сразу три монитора. Запустив в "параллельных" операционных системах несколько ресурсоёмких приложений одновременно, можно запросто загрузить до 7 Гб оперативной памяти. О подробностях эксперимента Corsair можно узнать здесь.

Источник: overclockers.ru

[Za9]

Цитата: Когда платформа Intel Core i7 вышла на рынок, множество энтузиастов было озадачено поисками подходящей памяти для новых процессоров и материнских плат, которая бы работала с напряжением в 1.65V. Теперь корпорация Intel представила очередную новинку для среднего сегмента. Правда сейчас за ней подоспела и компания Kingston, выпустив соответственные комплекты памяти. kingstonhyperxcorei5-sb.jpg Память Kingston 2133MHz HyperX предназначена как для платформы Intel Core i5, так и Core i7. Работает на частоте 2133 Мгц с напряжением 1.65V и поддерживает профили SPD Extreme Memory Profile (XMP). ПО словам производителя, это первый набор памяти из двух модулей объемом 4 гигабайта на рынке с такими характеристиками. Набор из двух модулей с параметрами латентности CL8-8-8-24 будет предлагаться по цене 394$, а более дешевый вариант с формулой CL9-9-9-27 – за 269$. В сентябре ожидается появление наборов на 8 гигабайт с аналогичной частотой, ориентированных на компьютеры с операционной системой архитектуры х64.

Источник:overclockers.ru

[Za9]

Цитата: Продолжается рост цен на оперативную память стандартов DDR2 и DDR3. На текущий момент контрактная стоимость чипов объемом в один гигабит DDR2 составляет 1.53$, а DDR3 - $1.66. По данным ресурса DRAMeXchange цены за последнее время повысились на 8.5 и 5.1 цента для DDR2 и DDR3 соответственно. dramprice-july-540x334.gif Поведение рынка достаточно странно. Спрос на память стандарта DDR2 является фактически постоянным, в то же время, DDR3 плавно набирает обороты с учетом появления все новых платформ. Казалось бы, что цена последней должна быть выше, однако тенденции показывают, что по росту стоимости DDR2 скоро может выйти вперед. Естественно это негативно отразится и на розничных ценах. Вместе с ростом стоимости отдельных чипов растет и цена готовых модулей памяти. Например, контрактная стоимость модулей памяти SO-DIMM для ноутбуков на 2 гигабайта стандарта DDR2 и DDR3 в среднем возросла на 7,94 и 5,4% соответственно. Хотя, возможно, производители на фоне мирового «кризиса» стараются таким образом подогреть интерес к памяти DDR3.

Источник: overclockers.ru

[AndyK]

Albertik, уже просил не раз. Перед тем как постить новости, всегда смотреть на даты!! Февральская новость "особенно всем" интересна.

[gerik]

Цитата: Компания Lexar Media, один из ведущих мировых производителей оперативной памяти, сегодня представила новые модули памяти стандарта DDR3 под брендом Crucial. Особенностью новинки является ее объем – 4 гигабайта на частоте 1333 МГц (PC3-10600). Это самые емкие небуферизированные модули на рынке, которые позволят потребителям получить до 16 гигабайт на готовых системах. Сообщается о полной совместимости с последними процессорами Intel и AMD, а именно Intel Core i5, Intel Core i7 и всей линейкой AMD для платформы AM3. Данное решение ориентировано на операционную систему Windows 7 архитектуры х64, так как только с ней можно будет добиться максимальной производительности. Пока что огорчает стоимость новинки. В свете роста цен на оперативную память чуть ли не в три раза, розничный ценник одного модуля будет находится на уровне 230 евро.

http://www.overclockers.ru/

[Slava]

24 Гб памяти Corsair DOMINATOR DDR3-1333 для профи

Цитата: Профессиональным пользователям высокопроизводительных настольных рабочих станций на базе чипсета Intel X58 Express и процессора Intel семейства Core i7 в исполнении Socket LGA1366 компания Corsair адресует новый трёхканальный набор оперативной памяти DDR3 серии DOMINATOR суммарным объёмом 24 Гб. 154204.jpg154205.jpg Комплект под индексом CMD24GX3M6A1333C9 состоит из шести 240-контактных DIMM-планок по 4 Гб каждая, которые функционируют на частоте 1333 МГц с задержками 9-9-9-24, характеризуются напряжением питания 1,6 В и оборудованы созданными по фирменной технологии Dual-path Heat Xchange (DHX) чёрными радиаторами с голубыми съёмными «гребешками». Данный продукт обеспечивается пожизненной гарантией качества, укомплектован оригинальной по дизайну системой активного воздушного охлаждения Corsair DOMINATOR Airflow Fan с двумя 60-мм вентиляторами и уже доступен для приобретения через собственный онлайн-магазин изготовителя по цене $1350.

http://www.3dnews.ru/news/24_gb_pamy...333_dlya_profi

[Slava]

Kingston готовит новые модули памяти HyperX с поддержкой водяного охлаждения

Цитата: Компания Kingston Technology, известная как один из ведущих поставщиков решений на основе оперативной памяти, решила поддразнить компьютерных энтузиастов и опубликовала несколько фотографий новых модулей памяти DDR3 DIMM серии HyperX. Эти модули в настоящее время проходят тестовые испытания в фирменных лабораториях и, вероятно, появятся в продаже уже в следующем году. 244374.jpg244375.jpg На представленных фотографиях отчетливо заметно, что новые модули памяти DDR3 DIMM серии HyperX могут быть присоединены к системе жидкостного охлаждения. Очевидно, такая конструктивная особенность придется по душе оверклокерам и энтузиастам, поскольку позволит разгонять оперативную память до повышенных частот. Кроме того, по снимкам видно, что новые модули памяти HyperX с поддержкой водяного охлаждения работают в паре с материнской платой на чипсете X58. Однако можно с большой долей вероятности предположить, что эти модули будут также совместимы с системами на базе чипов в исполнении LGA 1156 и даже AMD AM3. Больше никаких подробностей о новых модулях памяти DDR3 DIMM серии HyperX не раскрывается. Возможно, Kingston Technology собирается представить свою новую разработку на выставке CES 2010, которая пройдет с 7 по 10 января в Лас-Вегасе. Источник: Tcmagazine

http://news.ferra.ru/hard/2009/12/24/94167/

[Slava]

Набор двухканальной памяти Patriot DDR3 2500

Цитата: 7195.jpg Конкурируя за место под солнцем с фирмой G.Skill, недавно представившей несколько наборов памяти DDR3 1800, еще один известный производитель продуктов на основе RAM компания Patriot Memory также анонсировала три набора памяти DDR3. Данные решения предназначены для оверклокеров и компьютерных энтузиастов, а одно из них (DDR3 2500) прямо нацелено на использование в системах на базе чипсета Intel P55. Все три новых набора двухканальной памяти от Patriot Memory вошли в линейку Viper II Series Sector 5 Edition и состоят из двух модулей емкостью по 2 Гб. Тактовая частота этих наборов памяти составляет 2133 МГц, 2400 МГц и 2500 МГц, а показатели их таймингов равняются 9-9-9-27, 9-11-9-27 и 9-11-9-27 соответственно. Рабочее напряжение всех трех новых продуктов находится на уровне 1,65 вольта. Для охлаждения модулей памяти специалисты компании-производителя применили штампованные радиаторные пластины из авиационного алюминия, а сами наборы памяти снабжены пожизненной гарантией.

http://news.ferra.ru/hard/2010/04/27/98542/

[Slava]

Corsair предлагает модули памяти типа DDR3-2533

Цитата: Недавно компания G.Skill начала продавать двухканальные комплекты памяти типа DDR3-2500, состоящие из двух модулей объёмом по 2 Гб. Они использовали тайминги 9-11-11-31 и номинальное напряжение 1.65 В. Компания Asus недавно одобрила использование этих комплектов памяти на своих материнских платах, основанных на чипсете Intel P55. Конкуренты не отстают от G.Skill - компания Corsair уже предлагает одиночные модули памяти типа DDR3-2533, которые относятся к серии Dominator GTX4. Каждый модуль объёмом 2 Гб имеет тайминги 9-11-10-30 и номинальное напряжение 1.65 В, его стоимость в фирменном интернет-магазине равна $325. corsair_01.jpg Столь высокую цену обусловила процедура ручного тестирования и сортировки модулей памяти - лишь малый процент изготавливаемых Corsair модулей памяти может работать в режиме DDR3-2533. Привязки к каким-то конкретным материнским платам производитель модулей памяти не предусматривает, но не гарантирует работоспособности для платформы AMD и процессоров Bloomfield. Для большей стабильности работы рекомендует использовать сдвоенный вентилятор за $35, который продаётся отдельно.

http://www.overclockers.ru/hardnews/...DDR3-2533.html

[Slava]

LV память Team Elite Series DDR3-1333

Цитата: Компания Team Group добавила в линейку Elite Series новые «зелёные» 240-контактные DIMM-модули оперативной памяти DDR3, которые характеризуются сниженным на 11,1% напряжением питания - до 1,35 В. Team_Elite_Series_DDR3-1333_Memory_Kit.jpg Модули выполнены на 6-слойных печатных платах, функционируют на частоте 1333 МГц с таймингами 9-9-9-24, оборудованы фирменными алюминиевыми радиаторами и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. Новинки будут доступны для приобретения как поштучно в версиях объёмом 1 или 2 Гб, так и в виде двухканальных наборов суммарной ёмкостью 2 либо 4 Гб. О предполагаемых ценах пока ничего не известно.

http://www.3dnews.ru/news/Nizkovoltn...ries-DDR3-1333