Модули оперативной памяти

[Yagr]

ram-auf.jpg

Операти́вная па́мять (также оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) — в информатике — память, часть системы памяти ЭВМ, в которую процессор может обратиться за одну операцию (jump, move и т. п.). Предназначена для временного хранения данных и команд, необходимых процессору для выполнения им операций. Оперативная память передаёт процессору данные непосредственно, либо через кэш-память. Каждая ячейка оперативной памяти имеет свой индивидуальный адрес.

ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок или входить в конструкцию однокристальной ЭВМ или микроконтроллера.

Подробнее о типах памяти

На сегодня наибольшее распространение имеют два вида ОЗУ:

SRAM (Static RAM)

ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто/ или нет статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи.

DRAM (Dynamic RAM)

Более экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов необходимо регенерировать через определённый интервал времени — для восстановления. Регенерация выполняется путём считывания заряда (через транзистор). Контроллер памяти периодически приостанавливает все операции с памятью для регенерации её содержимого, что значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память на конденсаторах получила своё название Dynamic RAM (динамическая память) как раз за то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени.

Таким образом, DRAM дешевле SRAM и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше битов, но при этом её быстродействие ниже. SRAM, наоборот, более быстрая память, но зато и дороже. В связи с этим обычную память строят на модулях DRAM, а SRAM используется для построения, например, кэш-памяти в микропроцессорах.

В этой теме размещаем новости о модулях оперативной памяти

[Slava]

Kingston HyperX blu: доступная игровая память DDR2/DDR3

Цитата: Для экономных геймеров компания Kingston Technology решила предложить менее дорогую оперативную память DDR2 и DDR3, объединённую в серию HyperX blu. Kingston_HyperX_blu_DDR3-1600_Memory_Module.jpg Все 240-контактные DIMM-новинки из данной продуктовой линейки оборудованы фирменными алюминиевыми радиаторами синего цвета и обеспечиваются пожизненной гарантией качества от изготовителя. При этом полный перечень доступных решений, их технические характеристики и рекомендованные цены выглядят так: * Двухканальный набор KHX1600C9D3B1K2/4GX (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 4 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – CL 9-9-9-27, напряжение питания – 1,65 В, особенности – поддержка профилей Intel XMP, цена – $132); * Двухканальный набор KHX1600C9D3B1K2/4G (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 4 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – CL 9-9-9-27, напряжение питания – 1,7 В, цена – $132); * Двухканальный набор KHX1600C9D3B1K2/2G (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 2 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – CL 9-9-9-27, напряжение питания – 1,7 В, цена – $71); * Двухканальный набор KHX1333C7D3B1K2/4GX (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 4 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – CL 7-7-7-20, напряжение питания – 1,65 В, особенности – поддержка профилей Intel XMP, цена – $143); * Двухканальный набор KHX1333C7D3B1K2/4G (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 4 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – CL 7-7-7-20, напряжение питания – 1,65 В, цена – $143); * Двухканальный набор KHX1333C7D3B1K2/2G (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 2 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – CL 7-7-7-20, напряжение питания – 1,65 В, цена – $76); * Двухканальный набор KHX6400D2B1K2/4G (тип памяти – DDR2, суммарный объём – 4 Гб, рабочая частота – 800 МГц, тайминги – CL 5-5-5-15, напряжение питания – 1,8 В, цена – $116); * Двухканальный набор KHX6400D2B1K2/2G (тип памяти – DDR2, суммарный объём – 2 Гб, рабочая частота – 800 МГц, тайминги – CL 5-5-5-15, напряжение питания – 1,8 В, цена – $62); * Модуль KHX6400D2B1/2G (тип памяти – DDR2, объём – 2 Гб, рабочая частота – 800 МГц, тайминги – CL 5-5-5-15, напряжение питания – 1,8 В, цена – $58); * Модуль KHX6400D2B1/1G (тип памяти – DDR2, объём – 1 Гб, рабочая частота – 800 МГц, тайминги – CL 5-5-5-15, напряжение питания – 1,8 В, цена – $31). О сроках начала массовых продаж описанных выше продуктов в опубликованном официальном пресс-релизе не сказано ни слова.

http://www.3dnews.ru/news/Kingston-H...amyat-DDR2DDR3

[Slava]

Kingston разработала трёхканальные наборы памяти DDR3-2333 объёмом 3 и 6 ГБ

Цитата: Компания Kingston Technology вновь подняла рекордную планку, анонсировав самые быстрые на сегодняшний день трёхканальные наборы модулей оперативной памяти DDR3 с поддержкой технологии Intel XMP. Этой весной были представлены и двухканальные наборы DDR3-2400. 132a.jpg По три модуля памяти объёмом 1 или 2 ГБ формируют наборы, получившие каталожные номера KHX2333C9D3T1FK3/6GX и KHX2333C9D3T1FK3/3GX. Память работает на частоте 2333 МГц с задержками 9-11-9-27. Рабочее напряжение модулей памяти HyperX составляет 1,65 В. Наборы с вентилятором в комплекте обойдутся энтузиастам в $272 (3 ГБ) и $543 (6 ГБ). Вариант без вентилятора дешевле на $20. Аналогичный комплект суммарным объёмом 6 ГБ, работающий на частоте 2250 МГц, предлагается по более демократичной цене $369.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/35/94

[Slava]

Новые модули памяти Crucial Ballistix DDR3-1600 оснащены датчиками температуры

Цитата: Превышение допустимой температуры может стать причиной сокращения срока службы и выхода из строя электронных компонентов. Получение в реальном времени информации о температуре компонентов компьютера дает возможность предотвратить такое нежелательное развитие событий. Прежде всего, это касается наиболее «горячих» узлов — процессоров, накопителей на жестких дисках. Датчики температуры есть и новых модулей памяти Crucial Ballistix, представленных компанией Lexar Media. В первую очередь, модули ориентированы на компьютерных энтузиастов и любителей «разгона». Считывание показаний датчиков обеспечивает программа, которую компания предлагает пользователям загрузить самостоятельно. Утилита совместима с новыми наборами системной логики Intel и процессорами Intel Core i5 и i7. Untitled-1_006.jpg К особенностям новых модулей относится улучшенная конструкция радиатора. По оценке производителя, усовершенствование позволило существенно уменьшить температуру модулей — по сравнению с модулями Ballistix, снащенными радиаторами прежней конструкции, разница может достигать 30%. Новые модули DDR3-1600 работают при напряжении 1,65 В с задержками 8-8-8-24. Они поставляются наборами из двух штук суммарным объемом 4 ГБ (номер по каталогу BL2KIT25664FN1608). Первое время наборы будут доступны исключительно в онлайновом магазине Newegg.com, начиная с июня — и по другим каналам. Цена набора равна $120.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/36/38

[Slava]

Самые быстрые модули памяти DDR3 производства Avantium замечены в продаже

Цитата: В Японии замечены в продаже наборы модулей памяти DDR3 тайваньского производителя Avantium, которые рассчитаны на частоту 2133 МГц. Это самые быстрые модули в ассортименте Avantium. avantiumddr3dc01-575x463.jpg Двухканальные наборы из двух модулей суммарным объемом 4 ГБ можно использовать в составе систем на платформе Intel или AMD. Характерной внешней чертой модулей, входящих в набор, являются высокие радиаторы с вертикальными прорезями. В модулях используются восьмислойные печатные платы и микросхемы памяти производства Elpida. При напряжении питания 1,60 В память работает на частоте 2133 МГц с задержками 9-9-9-24. Производитель сопровождает новинку пожизненной гарантией. Цена набора примерно равна $206.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/37/92

[camarik]

Цитата: Первый невидимый радиатор на модулях DRAM KINGMAX, ведущий производитель модулей памяти DRAM и флеш-продукции, объявляет о выходе эпохального продукта - модулей памяти DDR3 2400 МГц с технологией Nano Thermal Dissipation. Вместо традиционного радиатора, отличающегося большим весом и размерами, здесь применяется технология Nano Thermal Dissipation, которая обеспечивая более высокую производительность и экономичность. 17-9.jpg Модель KINGMAX DDR3 2400 отличается меньшим весом и габаритами, что делает более удобной установку других компонентов. Также модель выигрывает и по энергопотреблению, так как здесь нет вентиляторов. Кроме того, технология Nano Thermal Dissipation максимально повышает производительность, позволяя разгонять память до 2400 МГц и выше. Технология Nano Thermal Dissipation заключается в следующем: на охлаждаемую поверхность наносится структура с наночастицами кремния, которые заполняют все микроскопические неровности поверхности. Действие подобно губке, которая впитывает тепло и отдает его наружу, при этом делает это быстрее, чем обычные радиаторы. Кремниевую структуру также можно подмешать в упаковку продукта, что даст еще лучшие результаты, чем просто нанесение ее на поверхность. Лабораторные результаты тестов показывают, что модули DRAM с технологией Nano Thermal Dissipation имеют температуру на 2° ниже, чем у обычных модулей. Эта критическая разница в 2° позволяет таким модулям работать стабильно там, где обычные модули выходят и строя. Nano Thermal Dissipation - это "зеленая" технология; она позволяет избавиться от громоздких радиаторов и потребляющих энергию вентиляторов. Эти преимущества не только повышают производительность продукта, но и делают его более экономичным. Модули KINGMAX DDRIII 2400 МГц показывают высочайший КПД при полосе пропускания 19.2 ГБ/с, что увеличивает объем принимаемой информации и повышает работоспособность системы. Это отличный выбор для энтузиастов, геймеров и тестеров. Модули KINGMAX DDR3 2400 МГц с технологией Nano Thermal Dissipation прошли тесты SGS и отвечает требованиям стандарта RoHS. Особенности KINGMAX Long-DIMM DDRIII 2400 Dual-Channel: Поддержка чипсета Intel P55 Технология Nano Thermal Dissipation Чип ASIC с целью от подделок Бессвинцовый процесс производства Технология TinyBGA обеспечивает компактные размеры, хорошую теплоотдачу и низкие электромагнитные помехи 100% совместимость и стабильность Более высокая скорость передачи данных для оверклокеров и геймеров Спецификации KINGMAX Long-DIMM DDRIII 2400 Dual-Channel: 240-pin DDRIII 2400 МГц CAS Latency: 10 Полоса пропускания: 19.2 ГБ/с Напряжение: 1.5~1.8 В Объем: 4 ГБ (2ГБ*2) Международная пожизненная гарантия

http://itnews.com.ua/55128.html

[Slava]

Новинка PQI позволяет добавить в систему 12 ГБ памяти DDR3-2000 МГц тремя модулями

Цитата: В мае этого года компания Power Quotient International (PQI) выпустила модули памяти PQI Turbo Immortality DDR3 2200 объемом 2 ГБ. Используя двухканальный набор из этих модулей, можно было оснастить систему 4 ГБ очень быстрой оперативной памяти. Очередная новинка, представленная PQI, позволяет решить ту же задачу с применением всего лишь одного модуля. Более того, по данным компании, 4GB Immortality TURBO DDR3 2000 — первый в отрасли модуль памяти DDR3-2000 МГц объемом 4 ГБ. DDR3-2000_photo-1.jpg Переход от памяти DDR3-1333 МГц к памяти DDR3-2000 МГц соответствует увеличению тактовой частоты в полтора раза. При этом пропускная способность в одноканальном режиме достигает 16 ГБ/с. Новые модули рассчитаны на напряжение питания 1,65 В и характеризуются задержками CL9-11-9-27. Производитель комплектует модули в двухканальные и трехканальные наборы объемом 8 ГБ (2 x 4 ГБ) и 12 ГБ (3 x 4 ГБ). Основными потребителями новинки компания видит компьютерных энтузиастов и любителей игр. На модули распространяется пожизненная гарантия.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/44/37

[AndyK]

Цитата: В рамках соглашения с обанкротившейся Qimonda японская компания Elpida получила лицензию на производство памяти типа GDDR3 и GDDR5, но до сих пор для этих нужд использовались производственные мощности тайваньской компании Winbond, которая тоже поучаствовала в разделе наследства Qimonda. На фабриках Winbond для Elpida до сих пор выпускались микросхемы GDDR5 и GDDR3 плотностью один гигабит. Как сообщает официальный пресс-релиз на сайте Elpida, в ближайшие месяцы на собственной фабрике компании в Хиросиме будет налажен массовый выпуск микросхем памяти типа GDDR5 плотностью два гигабита. По словам производителя, это позволит компании быстрее реагировать на потребности рынка. Первые образцы 2-гигабитных микросхем GDDR5 сойдут с конвейера Elpida в июле, а массовое производство будет налажено в третьем квартале текущего года. Тактовая частота этих чипов может достигать 7 ГГц.

http://www.overclockers.ru/hardnews/..._do_7_GGc.html

[Slava]

Модули памяти DDR3 Patriot Viper II Series Sector 7 Edition предназначены для систем на Intel X58

Цитата: Спустя два месяца после анонса модулей памяти Viper II Series Sector 5 Edition для компьютерных систем на базе чипсета Intel P55, компания Patriot анонсировала новые трехканальные наборы Patriot Viper II Series Sector 7 Edition, ориентированные на работу с материнскими платами на чипсете Intel X58 и процессорами Intel Core i7 и Intel Core i7 Extreme Edition. 3.jpg В состав серии входят несколько наборов памяти: 6 ГБ частотой 1600, 1800 или 2000 МГц, 12 ГБ частотой 1600 МГц и 24 ГБ частотой 1600 МГц. Все модули оснащены радиаторами, изготовленными из авиационного алюминия, и сертифицированы на соответствие технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP). XMP, напомним, гарантирует большую производительность ОЗУ по сравнению со стандартными спецификациями DDR3. Данные комплекты адресованы обладателям платформ на базе чипсета Intel X58 Express. Они состоят из 240-контактных DIMM-модулей, которые оборудованы оригинальными алюминиевыми радиаторами с «гребешками» и поддерживают профили Intel XMP. При этом перечень предлагаемых продуктов и их технические характеристики выглядят так: Трёхканальный набор PV736G2000ELK (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 2000 МГц, тайминги – 9-9-9-27, напряжение питания – 1,65 В); Трёхканальный набор PV736G1800ELK (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1800 МГц, тайминги – 9-9-9-27, напряжение питания – 1,65 В); Трёхканальный набор PV7324G1600ELHK (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 24 Гб, рабочая частота – 1800 МГц, тайминги – 9-9-9-24, напряжение питания – 1,65 В); Трёхканальный набор PV7312G1600ELK (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 12 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 9-9-9-24, напряжение питания – 1,65 В); Трёхканальный набор PV7312G1600LLK (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 12 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 8-8-8-24, напряжение питания – 1,65 В); Трёхканальный набор PV736G1600ELK (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 9-9-9-24, напряжение питания – 1,65 В); Трёхканальный набор PV736G1600LLK (тип памяти – DDR3, суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 8-8-8-24, напряжение питания – 1,65 В). Каждый модуль памяти Viper II Series Sector 7 Edition проходит тщательное тестирование и обеспечивается пожизненной гарантией производителя. К сожалению, стоимость модулей памяти пока не сообщается.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/47/04
http://www.3dnews.ru/news/Pamyat-Pat...-pod-Intel-X58

[Slava]

Samsung первой справилась с созданием модулей памяти LRDIMM объемом 32 ГБ

Цитата: Сегодня компания Samsung Electronics сообщила о завершении разработки первых в отрасли модулей памяти типа LRDIMM (load-reduced, dual-inline memory module) объемом 32 ГБ. Новые модули предназначены для использования в серверах. Массовый выпуск это продукции Samsung обещает начать во второй половине года. Микросхемы памяти DDR3, используемые в новых модулях, изготовлены по технологии «40-нанометрового класса» (составители пресс-релиза уточняют — это означает применение норм от 40 до 49 нм). Плотность чипов составляет 4 Гбит. О наращивании их производства компания сообщила в мае. На каждый модуль Samsung LRDIMM объемом 32 ГБ необходимо 72 таких микросхемы. Кроме того, на плате модуля находится дополнительная буферная микросхема, которая помогает уменьшить нагрузку на подсистему памяти. По оцене компании, снижение нагрузки достигает 75%. 1.jpg Используя модули LRDIMM объемом 32 ГБ, можно установить в сервер до 384 ГБ памяти в расчете на один CPU. Другими словами, конфигурация двухпроцессорного сервера может включать до 768 ГБ. Это существенно раз больше, чем в случае с обычными модулями DDR3 RDIMM объемом 32 ГБ. Модули работают на частоте 1333 МГц, при напряжении 1,35 или 1,5 В.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/47/75

[AndyK]

Цитата: Компания Corsair объявила о выпуске Dominator GTX6, сверхскоростного однорангового модуля памяти DIMM DDR3 PC3-21000 емкостью 1 Гбайт. Эти модули - одни из наиболее быстрых в мире на сегодняшний день и сконструированы для сравнительного тестирования процессоров и памяти, а также для попыток установки мировых рекордов. corsairdominator1-020710.jpg Модули GTX6 тестировались на системной плате Gigabyte P55A-UD5 с редакцией BIOS F10 при тактовой частоте 2625 МГц. Для достижения таких частот памяти использовались специально отобранные процессоры Intel Core i7-860 и Core i7-870. Хотя частота 2625 МГц является тестовой характеристикой отдельного модуля, было обнаружено, что достижение частот 2600 МГц обычно становится возможным при тестировании пары модулей. При использовании процессора, охлажденного с помощью жидкого азота, производителю удалось достичь частоты 2976 МГц. «Мне больше нечего добавить к тому, что эти модули обладают действительно большой скоростью. Очень большой скоростью, - говорит Джон Бикли, вице-президент компании Corsair по техмаркетингу. - Эти модули не предназначены для повседневного использования, это скорее идеальное оружие в арсенале, используемом для повышения тактовой частоты». corsairdominator2-020710.jpg Модули GTX6 можно приобрести в интернет-магазине компании Corsair. В связи с интенсивными отбраковочными испытаниями модули GTX6 имеются в весьма ограниченном количестве. Дополнительная информация по модулям памяти Corsair Dominator GTX доступна на сайте производителя.

http://www.thg.ru/technews/20100702_034100.html

[Slava]

Mach Xtreme Technology удваивает объем наборов модулей памяти DDR3 ARMORX

Цитата: Некоторое время назад в ассортименте компании Mach Xtreme Technology появились двухканальные наборы модулей памяти DDR3 ARMORX, предназначенные для применения в высокопроизводительных ПК. Объем модулей, входящих в наборы MXD3AX22004GK и MXD3AX23004GK, составляет 4 ГБ (2х 2 ГБ), а тактовые частоты — 2200 и 2300 МГц соответственно. Вчера компания пополнила серию DDR3 ARMORX двухканальными наборами вдвое большего объема — 8 ГБ (2 х 4 ГБ). Как и в прошлый раз, одновременно выпущено два набора. Модули из набора MXD3AX20008GK работают на тактовой частоте 2000 МГц с задержками CL 9-9-9-24 2N. Модули, входящие в набор MXD3AX16008GK, работают на частоте 1600 МГц с задержками CL 8-8-8-24 2N. У своих предшественников они унаследовали пассивные системы охлаждения HDT характерной конструкции, включающей тепловую трубку. Напряжение питания модулей равно 1,65 В. Модули поддерживают технологию XMP. Производитель предоставляет на новые наборы пожизненную гарантию.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/49/72

[Slava]

Super Talent анонсирует модули памяти DDR3 2000 и соответствующие наборы

Цитата: Компания Super Talent объявила о пополнении своей продуктовой линейки четырьмя новыми решениями на базе памяти DDR3. Квартет новинок ориентирован на сообщество оверклокеров и компьютерных энтузиастов и включает в себя пару модулей и пару наборов, построенных на основе новой памяти DRAM с плотностью 2 Гбит. Данная память сертифицирована для работы на частоте 2000 МГц, однако может разгоняться и до более высоких частотных показателей. При этом новые продукты предназначены для использования в высококлассных системах на базе платформ Intel X58 и P55, снабжены пожизненной гарантией и имеют следующие спецификации: * WP200UB4G9 – модуль емкостью 4 Гб, частота 2000 МГц, тайминги 9-10-9-28, напряжение питания 1,65 вольта * WP200UX8G9 – набор емкостью 8 Гб (2 модуля по 4 Гб), частота 2000 МГц, тайминги 9-10-9-28, напряжение питания 1,65 вольта * WB200UB4G9 – модуль емкостью 4 Гб, частота 2000 МГц, тайминги 9-10-9-28, напряжение питания 1,65 вольта * WB200T12G9 – набор емкостью 12 Гб (3 модуля по 4 Гб), частота 2000 МГц, тайминги 9-10-9-28, напряжение питания 1,65 вольта. О стоимости новинок не сообщается.

http://news.ferra.ru/hard/2010/07/08/100901/

[Slava]

G.Skill представляет новый набор памяти DDR3 2000 объемом 24 Гб

Цитата: Тайваньская компания G.Skill International Co, чья продукция пользуется заслуженным уважением в среде геймеров и оверклокеров, пополнила свой ассортимент еще одним набором памяти DDR3 очень высокой емкости. Новый набор трехканальной памяти состоит из шести модулей по 4 Гб каждый, что в сумме составляет впечатляющий объем в 24 Гб. Такого количества памяти RAM, очевидно, должно с лихвой хватить даже самым привередливым энтузиастам и любителям видеоигр. Отметим, что модули в новом высококлассном наборе трехканальной памяти DDR3 от G.Skill способны функционировать на частоте 2000 МГц при уровне таймингов CL8, что является очень хорошим показателем. При этом показатель напряжения питания у них составляет 1,65 вольта. Новый набор трехканальной памяти DDR3 2000 предназначен для применения в мощных игровых системах и рабочих станциях и способен взаимодействовать с платформой Intel X58, о его стоимости пока не сообщается.

http://news.ferra.ru/hard/2010/07/08/100898/
http://www.3dnews.ru/news/G-Skill-pr...-2000-MGts-CL8

[Slava]

OCZ предлагает самые быстрые в мире модули памяти DDR3 на 4 Гб с частотой 2133 МГц

Цитата: Компания OCZ Technology, известная как один из ведущих производителей решений на основе памяти, анонсировала свою очередную разработку – высокоскоростные модули памяти DDR3, чья емкость составляет 4 Гб, а рабочая частота достигает 2133 МГц. Новые модули предназначены для геймеров и энтузиастов, а также профессиональных пользователей, которым требуется сочетание высокой производительности и большого объема памяти. 8.jpg Новые модули памяти от OCZ вошли в состав двух и трехканальных наборов памяти в фирменных сериях Flex EX, Reaper HPC и Platinum, также представленных калифорнийским производителем. Данные наборы памяти DDR3 2133 обладают объемом в 8 Гб и 12 Гб соответственно, а их уровни таймингов составляют 8-9-8-27, 9-10-9 или 10-10-10-30 при рабочем напряжении питания 1,65 вольта. Отметим, что все новые продукты OCZ снабжены пожизненной гарантией и должны появиться в продаже в скором времени, об их стоимости не сообщается.

http://news.ferra.ru/hard/2010/07/13/101061/

[Slava]

Спрос на память DDR1 растёт

Цитата: Рынок DRAM в целом оставался достаточно слабыми на этой неделе, исключая устаревшие чипы DDR1. Неожиданное увеличение спроса на этот тип памяти возник в китайском регионе, сообщает inSpectrum. Средние спот-цены за 1-Гбит чипы DDR2 и DDR3 изменились за неделю всего на 1% и в полдень 16 июля составили соответственно $2,16 и $2,34. При этом резко увеличилось число покупателей чипов DDR1, которые применяются в старых ПК-системах и электронных продуктах. Так спот-цены на 512-Мбит чипы возросли за тот же период на 4% и достигли $2,01. 11.jpg inSpectrum предполагает, что возвращение цен на DDR1 на нормальный уровень состоится не ранее конца лета. Для сегментов же рынка памяти DDR2 и DDR3, наоборот, будет сохраняться слабый спрос до времени сезона «возвращение в школу», но в отличие от недавнего поступательного снижения цен, они будут стабилизироваться по причине увеличения заказов. Спрос на флеш-память NAND также увеличился, особенно на чипы малой ёмкости. Популярностью пользуются 16-Гбитные чипы типа MLC, которые широко используются китайскими производителями потребительской электроники. Это во многом обусловлено распространением сведений о планах Samsung Electronics по сворачиванию 50-нм производства 16-Гбит MLC-чипов флеш-памяти, считает inSpectrum. Некоторые производители обеспокоены тем, что более совершенные чипы будут несовместимы с их продуктами и поэтому увеличивают закупки. В настоящее время спот-цены на 16- и 32-Гбит чипы флеш-памяти на основе MLC составляют соответственно $4,61 и $6,67.

http://www.3dnews.ru/news/Spros-na-pamyat-DDR1-rastet

[Slava]

Комплекты памяти DDR3 Mushkin Ridgeback объёмом 8 и 12 Гб

Цитата: Компания Mushkin официально объявила о выпуске двух комплектов оперативной памяти стандарта DDR3 объёмом 8 (996953) и 12 (998953) Гб, которые пополнят линейку Ridgeback, оснащённую фирменными радиаторами с рёбрами оригинальной формы. Как и другие модули производства Mushkin, наборы из новой серии направлены на использование в ПК продвинутых пользователей и фанатов оверклокинга. Оба комплекта функционируют на частоте 2000 МГц с задержками 10-10-10-27 и характеризуются рабочим напряжением питания на уровне 1,65 В, первый из которых объёмом 8 Гб работает в двухканальном режиме и предназначен для платформ на базе системной логики Intel с разъёмом Socket LGA1156, а второй включает в себя три модуля по 4 Гб каждый и ориентирован на применение в системах с трёхканальным контроллером памяти, в частности, Intel LGA1366. Наличие эффективной системы охлаждения в виде стильных радиаторов чёрного цвета с запатентованной производителем технологией отвода тепла от чипов памяти позволяет забыть о проблемах, связанных с перегревом. Набор ёмкостью 8 Гб ожидается в продаже в скором времени, а комплект из трёх модулей суммарным объёмом 12 Гб уже можно приобрести по цене, установленной в размере $419,99.

http://www.3dnews.ru/news/Komplekti-...emom-8-i-12-Gb

[Slava]

Первые модули памяти DDR3 серии HyperX H2O от Kingston

Цитата: Компания Kingston Technology официальным пресс-релизом уведомила общественность о выводе на рынок дебютных продуктов из новой серии HyperX H2O, объединившей модули оперативной памяти DDR3, которые предлагаются в виде двух- и трёхканальных наборов. Данные 240-контактные DIMM-решения оборудованы оригинальными по конструкции теплорассеивателями, которые могут быть подсоединены к системе жидкостного охлаждения. Модули поддерживают профили Intel XMP и обеспечиваются пожизненной фирменной гарантией качества. Что же касается полного перечня и технических характеристик доступных новинок, а также их рекомендованных цен, то эта информация такова: * Двухканальный комплект KHX2000C9AD3W1K2/4GX (суммарный объём – 4 Гб, рабочая частота – 2000 МГц, тайминги – CL 9-11-9-27, напряжение питания – 1,65 В, цена – $157); * Двухканальный комплект KHX2133C9AD3W1K2/4GX (суммарный объём – 4 Гб, рабочая частота – 2133 МГц, тайминги – CL 9-11-9-27, напряжение питания – 1,65 В, цена – $205); * Трёхканальный комплект KHX2000C9AD3W1K3/6GX (суммарный объём – 6 Гб, рабочая частота – 2000 МГц, тайминги – CL 9-10-9-27, напряжение питания – 1,65 В, цена – $235).

http://www.3dnews.ru/news/Pervie-mod...2O-ot-Kingston

[Slava]

Бюджетный комплект памяти DDR3-1600 для энтузиастов — PNY XLR8 4GB

Цитата: Компания PNY объявила о выходе нового двухканального комплекта оперативной памяти XLR8 4GB DDR3-1600. Разработанный специально для заядлых игроков и энтузиастов, этот комплект демонстрирует высокую скорость работы при минимальных задержках. 7.jpg Технические характеристики PNY XLR8 4GB DDR3-1600: * Модель: 2GBH2X01E88824-165-H * Объем памяти: 4 ГБ (комплект 2х2 ГБ) * Тип модулей: DDR3 240-pin DIMM * Частота памяти: 1600 МГц * Задержки: 8-8-8-24 * Рабочее напряжение: 1,65 В * Гарантия: пожизненная Эта пара 2-ГБ модулей работает в двухканальном режиме при напряжении 1,65 В, так что она подходит для новых систем с процессорами под LGA1156. Рабочая частота модулей составляет 1600 МГц, что при задержках 8-8-8-24 В целях обеспечения надежности и долговечности, модули из комплекта PNY XLR8 4GB DDR3-1600 оснащены черными металлическими радиаторами, эффективно рассеивающими тепло. Благодаря их малой высоте, память, размещенная в слотах, не препятствует установке массивных процессорных кулеров. Размеров радиаторов хватает для стабильной работы памяти не только в штатном режиме, но и в режиме разгона: тестовый образец комплекта XLR8 4GB DDR3-1600 достигает частоты 1984 МГц при задержках 9-9-9-24, что было бы невозможно без эффективного охлаждения. Перед тем, как попасть в продажу, модули проходят длительное тестирование в экстремальных условиях, после чего им присваивается пожизненная гарантия. Несмотря на все свои достоинства, комплект отличается невысокой ценой – рекомендованная розничная цена PNY XLR8 4GB DDR3-1600 составляет 120 долларов. Заметим, что при желании можно найти подобный набор еще дешевле — модули GOODRAM Play производства Wilk Elektronik SA с такими же характеристиками продаются по 85 евро (примерно 110 долларов). Однако в этом случае о возможности разгона производитель ничего не сообщает.

http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/65/37

[Slava]

Super Talent анонсирует “первый в мире” набор трехканальной памяти DDR3 2000 на 24 Гб

Цитата: 3.jpg Известный поставщик решений на основе RAM компания Super Talent Technology официально объявила о начале производства, как сообщается, первого в мире набора трехканальной памяти DDR3 на 24 Гб, функционирующей на частоте 2000 МГц. Ранее решение со схожими характеристиками было анонсировано фирмой G.Skill, однако о его поставках пока не упоминалось. Таким образом, производители RAM, очевидно, стремятся максимально удовлетворить возрастающие требования рынка, в том числе и таких категорий, как геймеры, а также профессиональные пользователи. Новый набор трехканальной памяти DDR3 2000 на 24 Гб от Super Talent состоит из шести модулей емкостью по 4 Гб каждый. При этом на упомянутой тактовой частоте 2000 МГц уровень таймингов у этих модулей равен CL9, а показатель рабочего напряжения питания составляет 1,65 вольта. Данный набор памяти от Super Talent уже поставляется (хотя его стоимость не указана) и может использоваться в мощных системах на базе чипсета Intel X58.

http://news.ferra.ru/hard/2010/10/20/104266/

[Wolverine89]

Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4

Цитата: Компания Samsung Electronics официальным пресс-релизом уведомила общественность об успешном завершении разработок по созданию первого в индустрии DRAM-модуля памяти DDR4. Напомним, что творцами дебютных DRAM-модулей памяти DDR (в 1997 году), DDR2 (в 2001 году) и DDR3 (в 2005 году) также были сотрудники именно этого южно-корейского электронного гиганта. Samsung_DDR4_DRAM_Module_Pic_01.jpg По заявлениям производителя, его детище изготовлено по 30-нм техпроцессу, обладает объёмом 2 Гбайт, функционирует на частоте 2133 МГц и характеризуется напряжением питания 1,2 В. При этом особо отмечается, что в изделии реализована прогрессивная технология Pseudo Open Drain (POD) Technology, благодаря которой новинка потребляет на 40% меньше энергии, чем модули памяти DDR3 с напряжением питания 1,5 В. Samsung_DDR4_DRAM_Module_Pic_02.jpg В заключение сообщим, что Samsung Electronics планирует тесно сотрудничать со многими изготовителями серверов с целью помочь совету JEDEC окончательно утвердить спецификации для стандарта DDR4 во второй половине текущего года.

http://www.3dnews.ru/news/samsung-po...l-pamyati-ddr4