Модули оперативной памяти

[Yagr]

ram-auf.jpg

Операти́вная па́мять (также оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) — в информатике — память, часть системы памяти ЭВМ, в которую процессор может обратиться за одну операцию (jump, move и т. п.). Предназначена для временного хранения данных и команд, необходимых процессору для выполнения им операций. Оперативная память передаёт процессору данные непосредственно, либо через кэш-память. Каждая ячейка оперативной памяти имеет свой индивидуальный адрес.

ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок или входить в конструкцию однокристальной ЭВМ или микроконтроллера.

Подробнее о типах памяти

На сегодня наибольшее распространение имеют два вида ОЗУ:

SRAM (Static RAM)

ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто/ или нет статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи.

DRAM (Dynamic RAM)

Более экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов необходимо регенерировать через определённый интервал времени — для восстановления. Регенерация выполняется путём считывания заряда (через транзистор). Контроллер памяти периодически приостанавливает все операции с памятью для регенерации её содержимого, что значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память на конденсаторах получила своё название Dynamic RAM (динамическая память) как раз за то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени.

Таким образом, DRAM дешевле SRAM и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше битов, но при этом её быстродействие ниже. SRAM, наоборот, более быстрая память, но зато и дороже. В связи с этим обычную память строят на модулях DRAM, а SRAM используется для построения, например, кэш-памяти в микропроцессорах.

В этой теме размещаем новости о модулях оперативной памяти

[Slava]

AMD выпустила память DDR3 под брендом Radeon

Цитата: Компания AMD начала выпускать модули оперативной памяти DDR3 под брендом Radeon, который обычно относится к ее графическим решениям. На сайте компании уже появилось описание трех 2 ГБ модулей памяти DIMM, каждый из которых нацелен на различные сегменты рынка. В линейку AMD DDR3 Radeon входят модули под названием Entertainment, Ultra Pro Gaming и Enterprise, которые, как можно догадаться по названиям, подходят для развлечений, игр и работы соответственно. 299015.jpg Тактовая частота памти AMD Radeon Entertainment составляет 1333 МГц, а тайминг - 9-9-9 (CL-tRCD-tRP). У AMD Radeon Ultra Pro Gaming тактовая частота выше - 1600 МГц, тайминг 11-11-11. В то же время, данные спецификации памяти AMD Radeon Enterprise пока не утверждены. Все три модуля обладают высотой 30 мм. Модули памяти AMD Radeon с тактовой частотой 1333 МГц, то есть Entertainment, уже можно найти в продаже в Японских магазинах по цене 1570 иен, что эквивалентно примерно $20. Источник: TechConnect Magazine

http://www.ferra.ru/ru/system/news/2...-branded-ddr3/

[Slava]

AMD начинает продажи модулей оперативной памяти под собственным брендом

Цитата: 310014.png Компания Advanced Micro Devices официально объявила о начале розничных продаж на североамериканском рынке новых для себя продуктов, а именно модулей системной памяти под брендом AMD Memory. Напомним, о планах AMD выйти на рынок продуктов на базе DRAM мы писали еще в минувшем августе, однако замеченные тогда решения, судя по непрезентабельному облику, предназначались скорее для OEM производителей. Сообщается, что в производстве продуктов под торговой маркой AMD Memory компания будет действовать рука об руку со своими партнерами, в лице которых выступают Patriot Memory LLC и VisionTek Products, LLC. Отметим, что первая из этих фирм сама славится своими быстрыми и надежными модулями памяти, так что выбор AMD совсем не случаен. Добавим, что модули памяти под брендом AMD Memory доступны в трех вариантах емкости – на 2 ГБ, 4 ГБ и 8 ГБ, и представлены в категориях Entertainment, Performance и Radeon Edition. В первую из этих серий входят модули DDR3 1333 и DDR3 1600, предназначенные для систем типа HTPC, вторую категорию представляют модули DDR3 с частотой до 1600 МГц и низким уровнем задержек, а память Radeon Edition функционирует на частоте 1866 МГц. Все новинки разработаны и сертифицированы для работы в составе платформ AMD, об их стоимости пока не упоминается. Источник: AMD

http://www.ferra.ru/ru/system/news/2...-memory-brand/

[Slava]

Intel: В следующем году появятся микросхемы памяти DDR4 ёмкостью 16 Гбит

Цитата: Корпорация Intel, а также крупнейшие производители оперативной памяти (dynamic random access memory, DRAM) ожидают продолжения быстрой эволюции технологии DDR4 в ближайшие годы. Помимо роста тактовых частот и скорости передачи данных, микросхемы DDR4 увеличат максимальную ёмкость до 16 Гбит уже во второй половине следующего года. Более того, модули памяти ёмкостью 16 Гбайт вскоре подешевеют до значений, приемлемых для массового рынка. Наиболее критическими улучшениями в эволюции технологий оперативной памяти при переходе от одного поколения к другому являются увеличение пропускной способности и ёмкости микросхем, а также снижение их энергопотребления. Подобные улучшения позволяют поднять производительность вычислительных устройств, а также соответствовать возрастающим потребностям в объёме оперативной памяти со стороны серверов (в первую очередь) и клиентских устройств вроде ПК и смартфонов. При создании стандарта DDR4, разработчики ставили перед собой цель увеличить максимальную скорость передачи данных до 4266 Мтрансферов/с (многие ранние перспективные планы JEDEC указывают на 3200 Мтрансферов/с как максимальную скорость для DDR4, однако позже многие производители заговорили о куда более высокой пропускной способности), а максимальную ёмкость микросхем до 16 Гбит. К настоящему моменту все крупные производители DRAM освоили выпуск микросхем DDR4 ёмкостью 8 Гбит, а планка в 3200 Мтрансферов/с для массово выпускаемых микросхем была преодолена компанией Samsung ранее в этом году. Поскольку другие производители пока не освоили выпуск чипов DDR4-3200, компания Intel консервативно заявила на Intel Developer Forum, что сегодняшние микросхемы памяти способны работать в режиме DDR4-2933, однако уже в следующем году они смогут работать на 9 % быстрее. Что более важно, во второй половине следующего года должны появиться первые микросхемы DDR4 ёмкостью 16 Гбит. Это откроет двери для создания не только относительно недорогих 16- и 32-Гбайт модулей памяти, но и для использования четырёхслойных сборок из таких микросхем для создания 256-Гбайт модулей типа RDIMM/LRDIMM для серверов. Трудно сказать, какова будет скорость передачи данных у микросхем ёмкостью 16 Гбит, однако принимая во внимание официальную поддержку DDR4-2400 процессорами Intel Xeon E5 v4 и Intel Core i7 Extreme 6000-серии, очевидно, что новые микросхемы точно не будут медленнее. Примечательно, что благодаря наличию массово выпускаемых микросхем памяти DDR4-3200 и внушительному частотному потенциалу у абсолютного большинства современных чипов DDR4, Intel решила официально поддерживать модули памяти DDR4-2400 процессорами поколения Kaby Lake. Таким образом, системы на базе Intel Core 7000-серии смогут несколько увеличить производительность в задачах общего назначения, а также, что более важно для клиентских ПК, в графических приложениях, чувствительных к пропускной способности памяти. В Intel ожидают, что разработка базового стандарта DDR5 (на IDF было озвучено именно это название) завершится уже к концу 2016 года, а в производство новый тип памяти пойдёт ориентировочно в 2020 году.

http://www.3dnews.ru/938513