Модули оперативной памяти

[Yagr]

ram-auf.jpg

Операти́вная па́мять (также оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) — в информатике — память, часть системы памяти ЭВМ, в которую процессор может обратиться за одну операцию (jump, move и т. п.). Предназначена для временного хранения данных и команд, необходимых процессору для выполнения им операций. Оперативная память передаёт процессору данные непосредственно, либо через кэш-память. Каждая ячейка оперативной памяти имеет свой индивидуальный адрес.

ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок или входить в конструкцию однокристальной ЭВМ или микроконтроллера.

Подробнее о типах памяти

На сегодня наибольшее распространение имеют два вида ОЗУ:

SRAM (Static RAM)

ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто/ или нет статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи.

DRAM (Dynamic RAM)

Более экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов необходимо регенерировать через определённый интервал времени — для восстановления. Регенерация выполняется путём считывания заряда (через транзистор). Контроллер памяти периодически приостанавливает все операции с памятью для регенерации её содержимого, что значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память на конденсаторах получила своё название Dynamic RAM (динамическая память) как раз за то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени.

Таким образом, DRAM дешевле SRAM и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше битов, но при этом её быстродействие ниже. SRAM, наоборот, более быстрая память, но зато и дороже. В связи с этим обычную память строят на модулях DRAM, а SRAM используется для построения, например, кэш-памяти в микропроцессорах.

В этой теме размещаем новости о модулях оперативной памяти

[kellan]

Цитата: На выставке CeBIT производители модулей памяти для энтузиастов показали образцы своих самых быстрых новинок. И если Corsair похвастал модулями, способными работать на частоте 1300 МГц, то OCZ заявила о праве на первенство в этой области, выставив DDR2-память, функционирующую на частоте 1400 МГц (PC2-11200). ocz-1400flexxlc.jpg Для охлаждения микросхем памяти рекордсмена используется уже хорошо известная комбинированная система охлаждения FlexXLC, являющаяся гибридом ватерблока и радиатора. Впрочем, представители компании заявляют, что водяное охлаждение не является обязательным требованием даже на частоте 1400 МГц. Тайминги памяти - 5-6-6, напряжение питания - 2,35 В. OCZ собирается вскоре начать поставку рабочих образцов этих модулей в парных 2-Гб комплектах. Также компания демонстрировала модули памяти с анонсированной недавно системой охлаждения Reaper HPC. Кроме обычного теплорассеивателя, Reaper HPC имеет дополнительный радиатор, соединённый с модулем тепловыми трубками. Демонстрируемый модуль должен работать на частоте 1200 МГц (PC2-9600) при таймингах 5-5-5 и напряжении 2,35 В. ocz-9600reaper.jpg

Источник: bit-tech

[kellan]

Цитата: Компания Mushkin выпустила новые модули памяти XP2-8500 объёмом 2 Гб, а также парные комплекты из них (2 x 2 Гб). Номинальная рабочая частота памяти составляет 1066 МГц, при этом тайминги - 5-4-4-12. Очевидно, новинка, сочетающая большой объём и высокую производительность, рассчитана на энтузиастов и геймеров, решивших перейти на ОС Microsoft Vista. mushkin-xp_ddr2.jpg Как и другие представители линеек HP2 и XP2, XP2-8500 поддерживает EPP, что упрощает процедуру разгона. А фирменные радиаторы FrostByte не дадут перегреться модулям и на повышенных частотах. В продаже новые 2-Гб модули XP2-8500 появятся в этом месяце, по неофициальной информации стоимость парного комплекта составит 560 долларов.

http://www.mushkin.com/

[kellan]

Цитата: По данным источника, ссылающегося на аналитиков Semiconductor Insights, производители памяти Qimonda AG и Micron Technology первыми начали поставку образцов оперативной памяти нового поколения DDR3, опередив южнокорейскую Samsung Electronics, обычно лидирующую в технологическом отношении. Напомним, DDR3 или Double Data Rate 3 сулит прирост скорости передачи данных до 1600 Мбит/с, что более чем вдвое превосходит сегодняшние показатели. Другой особенностью DDR3 является сниженное с 1,8 В до 1,5 В напряжение питания. Снижение напряжения позволяет уменьшить тепловыделение памяти и продлить время автономной работы мобильных систем. По имеющимся данным, Micron планирует начать серийное производство гигабитных чипов DDR3 и представить первые образцы 2-гигбитных чипов DDR3 в середине 2007 года. В то же время, по оценке Semiconductor Insights, рынок DDR3 в текущем году будет формироваться вокруг наиболее привлекательных 512-мегабитных и гигабитных чипов, работающих на частотах 800 МГц и более.

Источник: EE Times

[kellan]

Цитата: Пока в наших форумах идёт активное обсуждение того, как скоро играм понадобится 4 Гб оперативной памяти (и большинство из пользователей склоняются к тому, что такой объём не лишний уже сегодня, благодаря тому, что на оптимизацию своих продуктов разработчики не желают тратить слишком много ресурсов), производители модулей памяти уже готовы к такой ситуации. Очередным из них, представившим 4-гигабайтные наборы DDR2-800, стала компания Super Talent со своими T800UX4GC5. Каждый из таких наборов объёдиняет в себе два модуля небуферируемой памяти выполненной в 240-контактном форм-факторе. 1.jpg Заявленные тайминги составляют 5-5-5-15 при номинальном напряжении 2,1 В. В модулях использованы чипы в упаковке FBGA. Охлаждение обеспечивается фирменными алюминиевыми радиаторами Super Talent HE. Новинки поступят в продажу уже на текущей неделе, а рекомендуемая производителем цена набора составит 438 долларов.

Источник: Super Talent Technology

[kellan]

Цитата: Новые модули, сертифицированные для систем NVIDIA SLI, представила OCZ Technology. Модули PC2-6400 SLI-Ready DDR2 не бьют частотных рекордов, но отличаются минимально возможным параметром Command Rate, составляющим 1T. Отметим, что ранее производитель уже анонсировал память с аналогичными параметрами, но её работоспособность в таком режиме гарантировалась лишь на одной системной плате - DFI NF590 SLI-M2R. Тайминги вновь представленных модулей весьма агрессивны, что позволит достичь неплохой производительности владельцам как SLI-систем, так и обычных ПК. 1.jpg Технические характеристики OCZ PC2-6400 SLI-Ready DDR2: -Рабочая частота: 800 МГц -Тайминги: 4-4-4-15 1T (CAS-TRCD-TRP-TRAS) -Объём: 1 Гб или комплект из двух модулей по 1 Гб -Тип: 240-контактные небуферируемые модули DIMM -Рабочее напряжение: 2,1 В (2,3 В в режиме Extended Voltage Protection)

Источник: OCZ Technology

[kellan]

Цитата: Компания OCZ Technology, специализирующаяся на высокопроизводительной оперативной памяти, представила модули OCZ PC2-9200 Reaper HPC (Heat Pipe Conduit) Edition. Как ясно из названия, в системе охлаждения модулей, помимо радиаторов, используются тепловые трубки, что, по мнению компании, повышает эффективность ее работы. Созданная специалистами OCZ Technology конструкция позволяет быстро отводить тепло от участков радиатора, расположенных рядом с наиболее чувствительными к перегреву элементами – микросхемами памяти. За счет этого, как утверждается, удается улучшить качества модулей, востребованные при эксплуатации на повышенных частотах, и повысить надежность работы. Reaper_HPC_1_.jpg Модули PC2-9200 Reaper HPC (1150 МГц, CL 5-5-5) «оптимизированы для новейших системных плат» и будут доступны в виде комплектов суммарным объемом 2 Гб (2 x 1024 Мб), рассчитанных на работу в двухканальных конфигурациях. Рекомендованное напряжение питания – 2,3 В. Как и в случае других модулей памяти OCZ Technology, новинки сопровождаются пожизненной гарантией. Напомним, в феврале компания представила модули PC2-8500 Reaper HPC.

Источник: OCZ Technology

[kellan]

Цитата: В линейке Cold Fusion появились комплекты из двух модулей памяти DDR2, рассчитанных на работу при тактовой частоте 1066 МГц. Компания US Modular, недавно представившая флэш-накопители RAMBoost, позиционирует модули Cold Fusion, как продукцию для энтузиастов компьютерных игр, но, безусловно, в быстродействующей памяти могут быть заинтересованы и другие категории пользователей. coldfusion.jpg Задержки новых модулей описываются «формулой» 5-5-5-15 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Особенностью серии Cold Fusion является наличие радиаторов, которые обеспечивают эффективное охлаждение микросхем памяти, работающих на высокой частоте. Напряжение питания модулей – 1,85 В. Набор из двух модулей суммарным объемом 2 Гб (2 х 1 Гб) обойдется покупателям в 290 долларов. В линейке доступны также модули объемом 512 Мб, продаваемые по одному или попарно. US Modular сопровождает память Cold Fusion пожизненной гарантией и круглосуточной технической поддержкой.

Источник: US Modular

[kellan]

Цитата: Не секрет, что продвижение перспективных технологий, к каковым на данный момент вполне можно отнести память DDR3, в большой степени определяется наличием всего комплекса технических решений, необходимых для серийного производства готовой продукции. Проще говоря, скорость каравана равна скорости самого медленного верблюда. Если в случае модулей памяти DDR3 с их основным компонентом – чипами памяти– ситуация более-менее определена, то, например, такой узел, как быстродействующий регистр, удовлетворяющий требованиям спецификации JEDEC, по максимальной частоте пока «отстает от каравана». Ситуацию меняет сообщение, поступившее от компании Integrated Device Technology (ITD). Как утверждается, специалистам компании удалось создать быстродействующий регистр с цепью фазовой синхронизации (PLL) для буферизованных модулей оперативной памяти DDR3 с двухсторонними выводами (RDIMM). Встроенный блок PLL поддерживает «самый широкий в отрасли диапазон рабочих тактовых частот»: от DDR3-800 до DDR3-1600. Заявленная задержка распространения сигнала не превышает 1 нс. Предназначенный для нового поколения высокопроизводительных серверов и рабочих станций, элемент, получивший обозначение IDT 74SSTE32882, вдвое превосходит по скорости аналогичные решения, применяемые в повсеместно используемой сейчас памяти DDR2. Кроме того, выигрыш в энергопотреблении составляет 30%. Ожидается, что интеграция буфера и PLL а одном чипе позволит производителям RDIMM упросить конструкцию модулей, сократить количество соединений и ослабить электромагнитные помехи. Напряжение питания 74SSTE32882 – 1,5 В. В настоящее время доступны ознакомительные образцы IDT 74SSTE32882. Начало серийного выпуска микросхем запланировано на второй квартал текущего года.

Источник: Integrated Device Technology

[kellan]

Цитата: Компания Crucial Technology объявила о начале продаж 1066-МГц модулей памяти DDR2 серий Ballistix и Ballistix Tracer. Модули DDR2 PC2-8500 пополнили предложение Crucial в части высокопроизводительных решений, ориентированных на применение в современных системных платах для ПК. ballistix_240pin_350x90_002.gif Как и в ранее представленных моделях PC2-6400 и PC2-8000, в новинках используется технология Enhanced Performance Profiles (EPP), позволяющая упростить «разгон» памяти в системах, совместимых с EPP. Проще говоря, в память модулей записаны заранее сконфигурированные профили настроек. tracer_240pin_350x86_002.gif Модули Ballistix и Ballistix Tracer DDR2 PC2-8500 доступны, как по одному – объемом 1 Гб, так и парами суммарным объемом 2 Гб, оптимизированными для применения в двухканальных конфигурациях На изделия распространяется пожизненная гарантия. Для тех, кто любит уточнять разницу между производителем, изготовителем, поставщиком памяти, напомним, Crucial Technology– подразделение компании Micron Semiconductor Products, которая, в свою очередь, является дочерним предприятием Micron Technology.

Источник: Crucial Technology

[kellan]

Цитата: Компания Walton Chaintech представила новые модули оперативной памяти — APOGEE GT DDRII, которые рассчитаны на работу при частоте 1066 МГц и являются пополнением линейки GT продуктов компании. Память ориентирована на компьютерных игроков и энтузиастов, стремящихся получить максимальное быстродействие от своих систем на базе процессоров Intel серий Core 2 Duo/Extreme/Quad и AMD Athlon 64. gt2.jpg Модули APOGEE GT DDRII 1066 характеризуются высоким быстродействием, низкими задержками и невысоким энергопотреблением, как отмечает производитель. Эта память станет хорошим подспорьем в деле получения максимума скорости от системы. Благодаря ей подсистема памяти будет способна на большее — максимальная пропускная способность составляет 8,5 Гб/с, что на 32% больше, чем при использовании стандартной памяти (DDRII 800). Память APOGEE GT DDRII 1066 имеет конфигурацию 64M x 8 в чипах BGA, а максимальная емкость модуля составляет 1 Гб. Подобранные для работы в двухканальном режиме модули будут продаваться в наборах 2х 1024 Мб.

Источник: Chaintech

[kellan]

Цитата: Компания G.Skill сообщила о выпуске модуля памяти PC2-8500 (DDR2-1066) объёмом 1 Гб с таймингами 5-5-5-15 (CL-TRCD-TRP-TRAS), а также комплекта из двух таких устройств. g.skill-1066hk.jpg Новинки позиционируются для энтузиастов-оверклокеров и геймеров, модули протестированы на совместную работу в парных комплектах и, равно как и отдельные модули, имеют пожизненную гарантию производителя. Технические характеристики: -Объём: 1 Гб (номер продукта F2-8500CL5S-1GBHK) / 2 x 1 Гб (F2-8500CL5D-2GBHK) -Гарантированная рабочая частота: 1066 МГц (PC2-8500) -Тайминги (CL-TRCD-TRP-TRAS): 5-5-5-15 -Напряжение питания: 2,3-2,4 В -Дизайн PCB: шестислойный

Источник: G.Skill

[kellan]

Цитата: Компания Transcend Information представила модули памяти Fully Buffered DIMM (FB-DIMM) объемом 4 Гб. Несмотря на солидный объем, по высоте модули, получившие обозначение TS512MFB72V6T-T, не превышают 30 мм. По мнению производителя, новинки хорошо подходят для совместного использования с чипсетами Intel 5000P/V/X, оснащенными встроенным контроллером FB-DIMM. Установка 16 модулей по 4 Гб позволяет довести суммарный объем памяти системы до 64 Гб. 4GFB-DIMM_web_1_.jpg Доступны также модификации изделий меньшего объема: TS256MFB72V6K-T (2 Гб DDR2-667), TS256MFB72V5K-T (2 Гб, DDR2-533), TS128MFB72V6J-T (1 Гб, DDR2-667), TS128MFB72V5J-T (1 Гб, DDR2-533), TS64MFB72V6J-T (512 Мб, DDR2-667) и TS64MFB72V5J-T (512 Мб, DDR2-533). В конструкции модулей Transcend использованы десятислойные печатные платы с расположенными на них чипами памяти 256Mx4 в корпусах Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA), поверх которых размещается радиатор. Представленные модули совместимы с системами IBM X3400/ X3500/ X3550/ X3650, HP Proliant DL 360 G5/ 380 G5 и Dell Precision Workstation 490/ 690.

Источник: Transcend Information

[kellan]

Цитата: В конце прошлого года мы сообщали о памяти OCZ PC2-9200, оснащенной фирменной системой охлаждения FlexXLC (Xtreme Liquid Convention). Вчера OCZ Technology обновила свой список продукции более быстрой версией этой памяти, анонсировав модули OCZ Ultra-High Speed PC2-9600 FlexXLC. 2.jpg Среди особенностей вновь представленных модулей производитель выделяет 8-слойную печатную плату с улучшенной теплопроводностью и уменьшенными наводками. 1.jpg Характеристики: -Частота 1200 МГц (PC2-9600) -Тайминги: CL 5-5-5-18 (CAS-TRCD-TRP-TRAS) -Рабочее напряжение: 2,35 В -Поддержка 2.4V EVP и технологии EPP -Тип: 240-контактный DIMM DDR2 -Внутренний диаметр патрубков для СВО: 1/4" -P/N: OCZ2FX12002GK В продажу OCZ PC2-9600 FlexXLC поступит в виде наборов "2GB (2x1024) Dual Channel Kits". Как обычно, производитель дает на этот продукт пожизненную гарантию "OCZ Lifetime Warranty".

Источник: OCZ Technology

[kellan]

Цитата: Компания Mushkin обновила серию высокопроизводительной памяти HP (High Performance) новыми DDR2-модулями, объёмом 2 Гб, работающими на частоте 800 МГц. Производитель планирует продавать как модули в отдельности, так и парные комплекты из них: 991564 - 2-Гб одиночные модули DIMM 996564 - 4-Гб (2 х 2 Гб) набор из двух модулей, протестированных для работы в двухканальном режиме 1_2104.jpg Заявленные тайминги (5-4-4-12) довольно неплохи, учитывая принадлежность к категории "лучшее соотношение производительность/цена" по шкале производителя (для энтузиастов компания выпускает серию XP - Extreme Performance). Рабочее напряжение таких новинок серии HP2-6400 - 2,0 В. Фирменные радиаторы Advanced FrostByte Heatsink, как обещает Mushkin, не дадут перегреться модулям и на повышенных частотах. Добиться оптимальной производительности неопытным пользователям позволит поддержка технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), имеющие же опыт разгона смогут добиться и большей производительности, нежели предусмотрено производителем.

Источник: Mushkin

[kellan]

Цитата: В начале этой недели, корейская компания Samsung приоткрыла завесу тайны над своим новым 4 GB модулем памяти DDR2, выполненным по технологии "through-silicon via" (TSV), что можно перевести как "внутрикремниевые межсоединения". В новом 4 GB модуле использованы четыре пары чипов DDR2 по 512 MB каждый. DRAM-чипы упакованы в виде стэка - традиционные проводные соединения между чипами заменены на сквозные микростержни, которые создаются путем заливки металла-проводника в предварительно вытравленные микроскопические отверстия. Такое решение позволяет значительно повысить производительность и уменьшить габариты упаковки. Помимо этого, внутри модуля DRAM все TSV-контакты имеют дополнительные алюминиевые экраны, которые устраняют негативный эффект снижения производительности за счет возникающих помех. 108073.jpg Специалисты компанни Samsung считают, что разработанная технология способна не только поддерживать память стандарта DDR3, но, в принципе, является технологией для производства высокопроизводительных систем, обладающих заметно меньшим уровнем энергопотребления по сравнению с предшественниками.

http://www.techlabs.ru/news/hardware/16361/

[Alfard]

Цитата: И снова о DDR3 Как мы знаем, память типа DDR3 появится уже в следующем квартале. По понятным причинам, наиболее заинтересована в её продвижении компания Intel и производители памяти. Как известно, одним из достоинств DDR3 является пониженное энергопотребление. Так, память DDR3-800, DDR3-1067 и DDR3-1333 потребляет на 28%, 17% и 5% меньше энергии, чем DDR2-800, соответственно: ps1177501571.jpg Если верить Ким Гйоу Джунг (Kim Gyou Joong), представителю компании Samsung Electronics, DDR3 будет быстрее DDR2 благодаря меньшим значениям CAS. По его словам, DDR2-533 (CL 4-4-4), DDR2-667 (CL 5-5-5) и DDR2-800 (CL6-6-6) имеют CAS, равную 15 нс. В то же время, CAS для DDR3-1066 (7-7-7), DDR3-1333 (8-8-8), и DDR3-1600 (9-9-9) будет равны 13,125 нс, 12 нс и 11,25 нс. Ведь, чем выше рабочая частота памяти, тем короче каждый цикл, а, значит, и общая задержка. ps1177501607.jpg Конечно же, данное сравнение нельзя назвать корректным, оно может служить лишь дополнением к тому факту, что DDR3 позволяет поднять "частотный потолок" памяти. Вряд ли DDR3-800 будет быстрее DDR2-800 в общем случае. ps1177501643.jpg В соответствии с планами Samsung, чипы DDR3-800/1066 будут выпущены на рынок уже в текущем квартале, а DDR3-1666 - в третьем квартале 2007 года. DDR3-800/1066 для мобильных приложений увидит свет лишь в первом квартале 2008 года, а DDR3-1333 - в начале 2009 года. По мнению Intel, DDR3 станет основной технологией памяти для ПК в 2009 году. С ней согласна и аналитическая компания iSuppli.

Источник: ixbt

[kellan]

Цитата: Компания OCZ Technology сообщила сегодня о расширении модельного ряда памяти PC2-6400 серии Reaper. Reaper Enhanced Bandwidth Edition — память, специально разработанная и оптимизированная для работы с чипсетом NVIDIA nForce 680i. Reaper_HPC.jpg Утверждается, что PC2-6400 Reaper EB повысит эффективность полосы пропускания благодаря оптимизации задержек между чипсетом и памятью. Новые 800-МГц модули памяти Reaper EB имеют пониженные относительно обычных Reaper HPC (Heat Pipe Conduit) задержки: CL4-3-3 против CL4-4-4. Поддерживается новыми модулями PC2-6400 Reaper и профайлы EPP (Enhanced Performance Profiles), позволяющие осуществлять авторазгон на nForce-системах. Так же на месте и оригинальная система охлаждения, представленная ранее. PC2-6400 Reaper HPC EB будут доступны в наборах 2 Гб (2x1024 Мб), подобранных для гарантированной работы в двухканальном режиме.

Источник: OCZ

[kellan]

Цитата: В японские магазины на этой неделе поступили модули памяти типа DDR3-1066 (CL7) объёмом 512 Мб и 1 Гб производства компании CFD - D3U1066K-512 и D3UK1066K-1G соответственно. Каждый модуль упакован в отдельную коробку. ddr3_01.jpg Напряжение питания памяти типа DDR-3 снижено с 1.8 В до 1.5 В. Данные модули основаны на чипах ELPIDA. ddr3_02.jpg Можете сравнить модуль типа DDR-3 (на фото снизу) с модулем типа DDR-2 (на фото сверху). ddr3_03.jpg В Японии модуль DDR3-1066 объёмом 512 Мб стоит $183, модуль DDR3-1066 объёмом 1 Гб стоит $363. Сравнивая эти суммы с ценами российской розницы, не забывайте о том, что Япония является достаточно "дорогой страной".

http://www.overclockers.ru/hardnews/25505.shtml

[kellan]

Цитата: Viking InterWorks, дочернее предприятие Sanmina-SCI, представило полную линейку модулей памяти DDR2 уменьшенного профиля (very low profile, VLP). Речь идет о 240-контактных модулях DIMM. Высота VLP-модулей составляет 18,3 мм. Модули, рассчитанные на работу на частотах до 667 МГц, будут доступны в пяти вариантах объема: 512 Мб, 1, 2, 4 и 8 Гб. csp.jpg В конструкции новинок использована собственная технология Viking InterWorks под названием RAM-Stack. Это позволило скомпоновать в 8-Гб модуле чипы DDR2 DRAM плотностью 1 Гб. Одним из основных преимуществ RAM-Stack компания называет хорошие температурные показатели конечных изделий. Суть технологии заключается в расположении компонентов памяти на керамической подложке с точно подобранным коэффициентом теплового расширения. Ранее технология RAM-Stack была использована в модулях памяти DDR.

Источник: Sanmina-SCI

[kellan]

Цитата: Многие наши читатели удручены значениями таймингов первых модулей DDR-3, однако не все отдают себе отчёт в том, что для памяти этого типа абсолютные величины задержек не будут катастрофическими, и память типа DDR-3 с таймингами 7-7-7 не будет работать так же медленно, как DDR-2 с аналогичными значениями таймингов. Пропускная способность возрастёт, уровень энергопотребления снизится, а разгонный потенциал наверняка улучшится. Осталось только дождаться заметного снижения цен на память типа DDR-3, но это случится не ранее следующего года. corsair_01.jpg Мы уже начали привыкать, что модули DDR3-1066 работают с таймингами 7-7-7, тогда как тайминги 6-6-6 могут продемонстрировать только модули типа DDR3-800. Как сообщает сайт Chile Hardware, компания Corsair готовит к выпуску модули памяти DDR3-1066 объёмом 1 Гб, работающие при значении таймингов 6-6-6-24. Эти модули основаны на чипах памяти производства Elpida. Поставки этих модулей должны начаться через две недели, в настоящее время они проверяются на совместимость с материнскими платами.

www.overclockers.ru