Модули оперативной памяти

[Yagr]

ram-auf.jpg

Операти́вная па́мять (также оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) — в информатике — память, часть системы памяти ЭВМ, в которую процессор может обратиться за одну операцию (jump, move и т. п.). Предназначена для временного хранения данных и команд, необходимых процессору для выполнения им операций. Оперативная память передаёт процессору данные непосредственно, либо через кэш-память. Каждая ячейка оперативной памяти имеет свой индивидуальный адрес.

ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок или входить в конструкцию однокристальной ЭВМ или микроконтроллера.

Подробнее о типах памяти

На сегодня наибольшее распространение имеют два вида ОЗУ:

SRAM (Static RAM)

ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто/ или нет статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи.

DRAM (Dynamic RAM)

Более экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов необходимо регенерировать через определённый интервал времени — для восстановления. Регенерация выполняется путём считывания заряда (через транзистор). Контроллер памяти периодически приостанавливает все операции с памятью для регенерации её содержимого, что значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память на конденсаторах получила своё название Dynamic RAM (динамическая память) как раз за то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени.

Таким образом, DRAM дешевле SRAM и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше битов, но при этом её быстродействие ниже. SRAM, наоборот, более быстрая память, но зато и дороже. В связи с этим обычную память строят на модулях DRAM, а SRAM используется для построения, например, кэш-памяти в микропроцессорах.

В этой теме размещаем новости о модулях оперативной памяти

[kellan]

Цитата: Не так уж и часто нам приходится слышать о выпуске Qimonda AG модулей памяти, рассчитанных на энтузиастов - компания явно ориентирует свою продукцию не на них. Количество же пользователей, которые хотели бы "выжать" из своей системы максимум возможного, растет и с ними приходится считаться даже Qimonda AG, подтверждением чему является выпуск серии XTUNE DDR2-1066 под торговой маркой Aeneon. AENEON_XTUNE.jpg В целом, это - довольно обычный по нынешним временам продукт, работающий на частоте 1066 МГц при таймингах 5-5-5-15 и напряжении 1,8 В. Поддерживается технология Enhanced Performance Profile (EPP), облегчающая оптимальную настройку неопытным пользователям. XTUNE DDR2 можно будет приобрести в модулях объёмом 512 и 1 Гб начиная с текущего месяца.

Источник: Qimonda AG

[kellan]

Цитата: OCZ Technology Group, специализирующаяся на высокопроизводительной памяти, представила набор, заслуживший в официальном пресс-релизе эпитет «уникальный». Новинка, получившая обозначение PC2-5400 AM2 Special, вошла в семейство Titanium XTC. Она спроектирована специально для платформы AMD AM2 и учитывает особенности встроенного контроллера памяти. Как утверждается, за счет этого удалось сократить потери времени и повысить общую производительность системы. Особенно заметным, полагают в OCZ Technology, выигрыш от новых модулей будет в приложениях САПР и программах, интенсивно работающих с изображениями – таких, как Adobe Photoshop или редакторы видеозаписей. Titan_ddr2_dc_1_.jpg Как известно, одной из особенностей контроллера памяти AM2 является наличие 11 разрядов адреса столбца, за счет чего количество отдельных адресов в каждой строке страницы может быть равно 2048 (при размере страницы, равном 16 Кбит). В модулях памяти, построенных в расчете на 10-разрядные адреса, размер страницы ограничен значением 8 Кбит. Другими словами, переключение страницы, в случае модулей Titanium, использующих преимущества контроллера AM2, выполняется реже – теоретический предел этой разницы составляет 100% (вдвое реже). Первоначально, модули PC2-5400 AM2 Special будут доступны в виде двухканальных наборов суммарным объемом 4 Гб (2 x 2 Гб), оптимизированных для 64-разрядных ОС (OCZ2T667AM4GK). Они сопровождаются пожизненной гарантией OCZ.

Источник: OCZ Technology

[kellan]

Память DDR3 производства Micron Technology прошла проверку Intel

Цитата: Компания Micron Technology официальным пресс-релизом сообщила, что произведенные ею компоненты памяти DDR3 плотностью 1 Гбит успешно прошли тестирование на возможность совместного использования с настольными платформами Intel. Новая память нацелена на широкий круг приложений – от требовательных к ресурсам игр до научных суперкомпьютерных вычислений. По утверждению Micron, упомянутые чипы DDR3 плотностью 1 Гбит представляют собой наиболее экономичное в расчете на один бит памяти решение, выпускаемое по 78-нм техпроцессу Micron 6F2. Интересно, что большей плотности, эти компоненты имеют меньший размер кристалла посравнению с DDR2-продуктами плотностью 512 Мбит. Кроме того, они характеризуются невысокой потребляемой мощностью и подходят для модулей, рассчитанных на компоненты плотностью 512 Мб и 1 Гб. Изделия характеризует поддержка скоростей передачи 800 миллионов операций обмена в секунду (megatransfers per second, MT/s) и 1066 MT/s при тактовых частотах 400 и 533 МГц, соответственно, что вдвое превышает скорости DDR2. Напряжение питания DDR3 уменьшено по сравнению с DDR2 – с 1,8 В до 1,5 В, за счет чего энергопотребление модулей может быть снижено на величину до 30%. Кстати, подробно ознакомиться с особенностями нового поколения оперативной памяти с произвольным доступом можно в нашем специальном материале. Ознакомительные образцы чипов DDR3 плотностью 1 Гбит производства Micron уже доступны. Серийный выпуск должен начаться в начале будущего года. Тогда же компания рассчитывает показать первые приборы DDR3 плотностью 2 Гбит.

Источник: Micron Technology



Память Samsung DDR3 проходит сертификацию для работы с чипсетами Intel

Цитата: Вчера компания Samsung официальным пресс-релизом уведомила общественность о том, что 21 ее продукт стандарта DDR3 (Double Data Rate – Version 3) был сертифицирован корпорацией Intel. 20070514img_l.jpg В это число вошли 13 модулей памяти и 8 монолитных ЗУ, которые имеют плотность 512 Мбит/1 Гбит и характеризуются скоростью 800/1066 МГц. Samsung отмечает свою тесную работу над новой памятью стандарта DDR3 со специалистами Intel (для обеспечения полной совместимости с будущими чипсетами), которая "стала новым шагом эволюции технологий DDR SDRAM". В эти дни, 14-15 мая, компания Samsung Electronics показывает на выставке-конференции Microsoft WinHEC 2007 Conference высокопроизводительный настольный ПК с установленным ОЗУ 8 Гб, которое представлено четырьмя 2-Гб модулями памяти DDR3. 1333-Мбит/с модули, как отмечается, являются самыми быстрыми из DDR3, а такое решение будет оптимальным для современного игрового ПК.

Источник: Samsung



Оперативная память OCZ для CrossFire-систем

Цитата: Компания OCZ представляет новые модули оперативной памяти OCZ PC2-8500 AMD CrossFire Reaper HPC, сертифицированные для работы с компьютерами на базе платформы AMD и оснащенными двумя графическими CrossFire-видеокартами. Устройства работают на частоте 1066 МГц и отличаются довольно низкими таймингами 5-5-5, что говорит о высокой производительности плат. OCZ_CrossFire_Reaper.jpg OCZ CrossFire Reaper Однако высокая производительность зачастую означает высокий уровень потребляемой мощности и необходимость организации качественного охлаждения микросхем памяти. В данном случае разработчики использовали уникальную систему охлаждения Reaper HPC, включающую в свой состав два радиатора, соединенные теплопроводящими трубками. В заключение отметим, что модули памяти OCZ PC2-8500 AMD CrossFire Reaper HPC предоставляют пользователям объем "оперативки" в 2 Гбайт.

http://www.hwp.ru/scripts/news_show.php?7448

[kellan]

Цитата: Ресурс HotHardware сообщил о том, что в руки его тестеров попали новые модули DDR2 памяти компании Patriot. Речь идет о модулях PDC22G10100ELK. big_patriot_1.jpg big_patriot_2.jpg Модули PDC22G10100ELK — представители "неофициальной" памяти, которые имеют характеристики, выше номинальных, присущих сертифицированным моделям. Как видно на фото, эта память компании Patriot обозначена как PC2-10100, что характеризует теоретический максимум ее пропускной способности. "Patriot PDC22G10100ELK kit" представлена набором из двух подобранных для гарантированной работы в 2-канальном режиме модулей емкостью 1 Гб каждый. Рабочая частота этой памяти составляет внушительные 1262,5 МГц, при таймингах 5-5-5-18 и напряжении питания 2,3 В. Как отмечает источник, при таких параметрах новинка Patriot опережает модель-флагман компании Corsair, — Dominator TWIN2X2048-10000C5DF. Стоимость памяти "Patriot PDC22G10100ELK kit" 2048 Мб будет составлять 350-400 долл., что должно сделать ее неплохим выбором, как по цене, так и по производительности.

Источник: HotHardware

[kellan]

Цитата: Вчера OCZ Technology обновила свой список продукции, представив модули памяти OCZ DDR3 PC3-10666 Gold Dual Channel. Новинка рассчитана, конечно же, на применение в новых системах (на платформе Intel P35 например) компьютерных энтузиастов и игроков. DDR3_Gold_dc.jpg Характеристики OCZ DDR3 PC3-10666 Gold: * Частота 1333 МГц (PC3-10666) * Тайминги: CL 9-9-9-26 (CAS-TRCD-TRP-TRAS) * Рабочее напряжение: 1,6 В * Позолоченный теплорассеиватель XTC (Xtreme Thermal Convection) * P/N: 1GB (2x512M D/C Kit PN – OCZ3G13331GK и 2GB (2x1024M D/C Kit PN – OCZ3G13332GK В продажу новые модули памяти OCZ пока не поступили. Как обычно, производитель дает на свои продукты топ-уровня пожизненную гарантию "OCZ Lifetime Warranty".

Источник: OCZ Technology

[Jon]

Вопрос: Как я понимаю планки частотой выше 800mhz типа DDR2 можно поставить в любую материнку, но если у материнки не заявлена рабочая частота памяти например в 1066mhz или больше - модуль будет работать на частоте 800mhz!?

[снежок]

Сообщение от kellan DDR3 PC3-10666 Gold

Jon, это DDR3 (разве можно воткнуть в DDR2 !?)/PC3-10666/золото.
дак а чё не понятного !?, сколько у материнки максимум, на такой частоте и будет работать память. ИМХО.

[Jon]

Сообщение от снежок Jon, это DDR3 (разве можно воткнуть в DDR2 !?)/PC3-10666/золото. дак а чё не понятного !?, сколько у материнки максимум, на такой частоте и будет работать память. ИМХО.

Читай внимательно мой пост! О DDR3 я даже не заикался!
Шла речь об этой к примеру! , и ЭТОЙ!

[kellan]

Цитата: Эта неделя в сфере IT стала знаменательна тем, что были анонсированы первые системные платы, поддерживающие память типа DDR3. Не задержались с поддержкой и производители системной памяти - об OCZ с ее PC3-10666 мы уже успели написать. В числе первых анонсировала выпуск модулей DDR3 и компания Super Talent - её линейка предложений такого типа куда шире, чем у упомянутого выше производителя. Выпущены модули различной ёмкости и с разными скоростными характеристиками: * W1333UX2G9, 2 Гб, DDR3, набор (2 x 1Гб) 1333 МГц PC3-10600, тайминги 9-9-9-27 * W1333UB1G9 1 Гб, DDR3, 1333 МГц, PC3-10600, тайминги 9-9-9-27 * W1066UX2G7 2 Гб, DDR3, набор (2 x 1 Гб) 1066 МГц, PC3-8500, тайминги 7-7-7-20 * W1066UB1G7 1 Гб, DDR3, 1066 МГц, PC3-8500, тайминги 7-7-7-20 OC_kit_DDR3.jpg Все модули серии будут комплектоваться алюминиевым радиатором. Они сертифицированы для работы с рядом системных плат на базе чипсета Intel P35 Express. Ориентировочная цена двухгигабайтного набора PC3-8500 составит 489 долларов, а массовые поставки должны стартовать в июне.

www.ixbt.com

[снежок]

Jon, я просто думал, ты обсуждал последний на то время пост kellanа.

[kellan]

Цитата: Компания Corsair выпустила в мир новые модели модулей оперативной памяти DDR3 типа. TWIN3X2048-1066С7 - это набор из двух модулей памяти DDR3 по 1 Гб каждый, работающих на эффективной частоте 1066 МГц при таймингах 7-7-7-21 Модули памяти с набора TWIN3X2048-1333C9DHX работают на эффективной частоте 1333 МГц с таймингами 9-9-9-27. 1600 МГц модули памяти, по обещанию Corsair, выйдут через несколько месяцев. DDRCs.png DDR3s.png

http://www.oszone.net/5014/Corsair_ddr3_new

[AndyK]

снежок, зачем дезу пускаешь? если мать потянет - ДЕФОЛТ, нет - РАЗГОН. Сейчас DDR3 огромная ркдкость

[zloi Vaha 4e4en]

Для быстрейшей работы графики можно выделить один, наиболее важный параметр оперативки, али необходима совокупность характеристик?

[снежок]

Оффтоп

Оффтоп

AndyK, разгон делают, каким бы железо небыло.

[kellan]

Цитата: Компания Kingston Technology анонсировала начало поставок модулей памяти DDR3 SDRAM - HyperX 1375 МГц и ValueRAM 1066 МГц. Кстати, на нижней иллюстрации, поступившей от нашего собственного корреспондента на Тайване, видны модули памяти DDR3, включенные к экспозицию компании на выставке Computex). Кроме того, этим летом, компания обещает добавить в свой ассортимент память DDR3 ValueRAM 1333 МГц. kingstonddr3-1.jpg О преимуществах DDR3 по сравнению с DDR2 было сказано много, поэтому прейдем сразу к техническим подробностям представленных модулей. Задержки новой памяти описываются следующей «формулой» - CAS Latency – 7, CL7-7-7-20. Модули HyperX рассчитаны на напряжение питания 1,7 В, ValueRAM – 1,5 В. kingstonddr3-2.jpg Доступны следующие продукты серии HyperX 1375 МГц: * KHX11000D3LLK2/2G – набор из двух модулей суммарным объемом 2 Гб, цена - 518 долларов; * KHX11000D3LLK2/1G - набор из двух модулей суммарным объемом 1 Гб, цена – 268 долларов; * KHX11000D3LL/1G – модуль объемом 1 Гб, цена – 259 долларов; * KHX11000D3LL/512 – модуль объемом 512 Мб, цена – 134 доллара; Доступны следующие продукты серии ValueRAM 1066 МГц; * KVR1066D3N7K2/2G – набор из двух модулей суммарным объемом 2 Гб, цена – 443 доллара; * KVR1066D3N7K2/1G – набор из двух модулей суммарным объемом 1 Гб, цена - 228 долларов; * KVR1066D3N7/1G – модуль объемом 1 Гб, цена – 222 доллара; * KVR1066D3N7/512 – модуль объемом 512 Мб, цена – 114 долларов; Планируется поставка следующих продуктов серии ValueRAM 1333 МГц; * KVR1333D3N8K2/2G – набор из двух модулей суммарным объемом 2 Гб, цена – 708 долларов; * KVR1333D3N8K2/1G – набор из двух модулей суммарным объемом 1 Гб, цена – 373 доллара; * KVR1333D3N8/1G – модуль объемом 1 Гб, цена – 354 доллара; * KVR1333D3N8/512 – модуль объемом 512 Мб, цена – 187 долларов.

www.ixbt.com

[kellan]

Цитата: Благодаря ATP, теперь появилась возможность составить из четырёх модулей памяти ОЗУ объёмом 32 Гб. Компания представила модули памяти DDR2 объёмом 8 Гб на Computex 2007. Новая память ориентированна для использования в высокопроизводительных серверах, но для использования геймерами, к сожалению, не пригодна - существующие чипсеты для рабочих станций не поддерживают модули памяти такого размера. atp_8gb_ddr2.jpg

http://www.oszone.net/5065/atp_ddr_667

[kellan]

WinChip демонстрирует модули DDR3-1600 с таймингами 7-8-8-15

Цитата: В целом настороженное отношение потребителей к памяти типа DDR-3 во многом объясняется тем, что память этого типа имеет увеличенные по отношению к предшественнице тайминги. Пока не все готовы вникать, какое реальное влияние на производительность оказывают эти тайминги в случае с памятью типа DDR-3, однако сами цифры значений таймингов могут отпугнуть многих покупателей. Компания Corsair уже заявила о готовности начать поставки модулей памяти типа DDR3-1600 с таймингами 10-8-8-24. Как сообщает сайт Tweaktown, компания WinChip в этом году планирует выйти на розничный рынок памяти, на стенде компании на выставке Computex 2007 были продемонстрированы двухканальные комплекты памяти типа DDR3-1600, работающие при значении таймингов 7-8-8-15. Согласитесь, довольно агрессивные значения для этого типа памяти и такой частоты. 1600_01.jpg WinChip также планирует оснащать свои модули памяти системой активного охлаждения, которая нам давно уже знакома: пара вентиляторов в пластиковой рамке крепится на зажимы слотов DIMM, и обеспечивает радиаторы памяти притоком свежего воздуха. Появление модулей памяти DDR3-1600 с такими характеристиками должно подхлестнуть конкуренцию, которая всегда выгодна для конечного потребителя. Будем надеяться, что другие производители модулей памяти возьмут курс на снижение таймингов и стоимости памяти типа DDR-3 в самое ближайшее время.

http://www.overclockers.ru/hardnews/25934.shtml

[kellan]

Цитата: Хотя не каждый пользователь может сегодня задействовать все 4 Гб оперативной памяти, спрос на соответствующие двухканальные комплекты с выходом операционной системы Windows Vista должен был повыситься. Кроме того, всегда существует определённая категория пользователей, которым "оперативной памяти никогда не бывает много". Не стоит удивляться тому, что на рынке начали появляться комплекты памяти объёмом 2 х 2 Гб, обладающие улучшенными таймингами. Следует заметить, что обычно повышение ёмкости модуля сопровождается ослаблением таймингов, и на быстродействии это сказывается негативно. Плюс, частотный диапазон комплектов 2 х 2 Гб не так высок по сравнению с менее ёмкими двухканальными комплектами. Компания OCZ Technology взяла курс на борьбу с этими недостатками, выпустив набор памяти DDR2-800 объёмом 2 х 2 Гб, работающий при значении таймингов 5-4-4-15 и напряжении 2.1 В. Этот комплект получил недвусмысленное название OCZ DDR2 PC2-6400 Vista Performance Platinum Dual Channel, намекающее на целесообразность эксплуатации такой памяти в системах под управлением Windows Vista. ocz_01.jpg Модули памяти оснащаются фирменными радиаторами XTC "сотовой" конструкции. Они снабжаются пожизненной гарантией от производителя и фирменной технической поддержкой. Цена не сообщается, но стоимость аналогичных по объёму комплектов в американской рознице едва превышает $220.

http://www.overclockers.ru/hardnews/25994.shtml

[kellan]

Цитата: Qimonda представила модули памяти, которые, как утверждается, стали первыми модулями FB-DIMM DDR2 quad-rank объемом 8 Гб для многоядерных серверов, рассчитанными на частоты до 800 МГц. Опытные образцы модулей уже отправлены ключевым партнерам компании для тестирования. Компоненты памяти, используемые в новых модулях, производятся по нормам 75 нм. По словам Qimonda, это позволило поднять частоту до 800 МГц и создать модули FB-DIMM, рассчитанные на применение в новом поколении серверов, которое должно появиться на рынке позже в этом году. Модули, работающие на частоте 800 МГц, имеют пропускную способность 4,8 Гбит/с в расчете на одну линию, что на 50% больше, чем у модулей, работающих на частоте 533 МГц, и на 20% больше, чем у модулей, работающих на частоте 667 МГц. Qimonda_FB-DIMM_1_.jpg Помимо большой пропускной способности, важным преимуществом новых FB-DIMM является пониженное энергопотребление. По словам производителя, они потребляют на 45% меньше электроэнергии, чем обычные модули. Компоненты DDR2, используемые Qimonda, работают при напряжении питания 1,5 В, что на 17% меньше, чем у современных стандартных компонентов (1,8 В). При этом, не приходится жертвовать производительностью. Логическая организация quad-rank реализована при помощи буферного чипа (AM, разработанного специалистами Qimonda и выпускаемого на мощностях компании. Он выполняет функцию своеобразного коммутатора, направляющего потоки сигналов в FB-DIMM. Применение quad-rank дает возможность увеличить суммарный объем памяти, сохранив невысокое энергопотребление. Qimonda намерена выпускать модули 2-rank объемом 1, 2 и 4 Гб, и модули quad-rank объемом 2, 4 и 8 Гб.

www.ixbt.com

[kellan]

Цитата: Память DDR3 пока находится в самом начале своего пути к компьютерам и кошелькам потребителей. Первые образцы продуктов такого типа имеют недостаточно высокие тактовые частоты для того, чтобы компенсировать отставание в таймингах в сравнении с проверенной годами DDR2. Тем не менее, нет сомнений в том, что частоты DDR3 рано или поздно поднимутся (а цены снизятся) до того уровня, на котором этот тип памяти начнет безоговорочно превосходить своего более опытного соперника. Одним из первых таких сверхбыстрых продуктов станет новая линейка памяти, представленная Super Talent, включающая в себя гигабайтные модули W1600UX2G7 и W1600UX2G9, чья тактовая частота составляет 1600 МГц. При этом первый из продуктов может похвастаться очень агрессивными таймингами - 7-7-7-18. Таким образом с трона на время низвержена сама Corsair со своей DOMINATOR DDR3-1600. super_talent_ddr3_1333mhz.jpg Задержки у W1600UX2G9 выше - 9-9-9-21. Номинальное рабочее напряжение новинок - 1,8 В. Производитель говорит о том, что отдельные такие модули способны достигать отметки в 2 (!) ГГц. Super Talent рекомендует продавцам установить цену в 648 долларов за пару гигабайтных модулей W1600UX2G7 и 598 долларов - за W1600UX2G9. Как видим, по этому показателю DDR2 пока вне конкуренции. Помимо вышеуказанных решений, Super Talent представил также первый в мире двухгигабайтный модуль PC3-10660 (DDR3-1333) - W1333UB2G8. В данном случае задержки выглядят, как 8-8-8-18, а рекомендуемая цена одного модуля составляет 417 долларов.

www.ixbt.com