Модули оперативной памяти

[Yagr]

ram-auf.jpg

Операти́вная па́мять (также оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) — в информатике — память, часть системы памяти ЭВМ, в которую процессор может обратиться за одну операцию (jump, move и т. п.). Предназначена для временного хранения данных и команд, необходимых процессору для выполнения им операций. Оперативная память передаёт процессору данные непосредственно, либо через кэш-память. Каждая ячейка оперативной памяти имеет свой индивидуальный адрес.

ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок или входить в конструкцию однокристальной ЭВМ или микроконтроллера.

Подробнее о типах памяти

На сегодня наибольшее распространение имеют два вида ОЗУ:

SRAM (Static RAM)

ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто/ или нет статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи.

DRAM (Dynamic RAM)

Более экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов необходимо регенерировать через определённый интервал времени — для восстановления. Регенерация выполняется путём считывания заряда (через транзистор). Контроллер памяти периодически приостанавливает все операции с памятью для регенерации её содержимого, что значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память на конденсаторах получила своё название Dynamic RAM (динамическая память) как раз за то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени.

Таким образом, DRAM дешевле SRAM и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше битов, но при этом её быстродействие ниже. SRAM, наоборот, более быстрая память, но зато и дороже. В связи с этим обычную память строят на модулях DRAM, а SRAM используется для построения, например, кэш-памяти в микропроцессорах.

В этой теме размещаем новости о модулях оперативной памяти

[kellan]

Цитата: Анонсировав на днях новый комплект памяти 4GB DDR2-800 CL4 Set, компания G.Skill решила, как говорится, одним выстрелом убить сразу двух зайцев и тем самым порадовать заядлых любителей компьютерных игр. Ведь входящие в набор два 240-контактных DIMM-модуля памяти DDR2 PC2-6400 Unbuffered Non-ECC (серийный номер F2-6400CL4D-4GBPK) отличаются не только внушительным объёмом, равным 2 Гб, но и демонстрируют весьма низкие задержки, составляющие CL 4-4-4-12 при частоте 800 МГц. 63087.jpg Следует также отметить, что каждая из планок памяти построена на базе 6-слойной печатной платы, характеризуется рабочим напряжением 2,0-2,1 В и обеспечивается пожизненной гарантией качества. Согласно информации, озвученной в опубликованном официальном пресс-релизе, новый 4-гигабайтный комплект уже поступил в продажу, однако о его розничной цене пока ничего не сообщается.

http://www.3dnews.ru/news/_geimerski...l4_set-269885/

[kellan]

Цитата: Компания OCZ сообщила о том, что она планирует вывести на рынок два новых комплекта памяти DDR2 2x1 Гбайт и 2x2 Гбайт соответственно. Новые модули PC2-6400 Titanium при частоте 800 МГц отличаются низкими таймингами. Модули памяти PC2-6400 Titanium емкостью 1 Гбайт/2 Гбайт работают на частоте 800 МГц и обладают латентностью CL3 и CL4 соответственно. Сообщается также, что модули будут доступны как комплектами суммарной емкостью 2 Гбайт/4 Гбайт, так и по одиночке. ocz_titanium_ddr21066-130907.jpg К сожалению, о точных сроках появления на прилавках новых OCZ PC2-6400 Titanium ничего не сообщается. Точно также не известна и их стоимость.

http://www.thg.ru/technews/20071019_163308.html

[kellan]

Цитата: Ассортимент высокопроизводительных продуктов категории Extreme Performance от компании Patriot Memory на днях пополнился новым "геймерским" набором памяти DDR2 4GB PC2-6400 Low Latency DIMM Kit. 63225.jpg Данный комплект состоит из двух планок объёмом 2 Гб каждая, которые функционируют на частоте 800 МГц с задержками 4-4-4-12, характеризуются рабочим напряжением 2,2 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. При этом в устройствах применена фирменная технология Patriot Aluminum Bladed Heat Shield Technology, что, по заверениям разработчиков, гарантирует стабильную работу модулей даже в условиях экстремального разгона системы. Что же касается стоимости и сроков начала массовых продаж нового набора, то об этом, к сожалению, какой-либо информации от производителя пока не поступало.

http://www.3dnews.ru/news/4_gigabait...zhkami-269948/

[kellan]

Цитата: Хорошая новость для заядлых геймеров и компьютерных энтузиастов! На днях компания Patriot Memory сообщила о том, что в ассортименте её наборов планок памяти DDR3 Extreme Performance с частотой 1600 МГц появился "свежий" комплект, обладающий суммарным объёмом в 4 Гб и обеспечивающийся пожизненной гарантией качества. Следует отметить, что главным "козырем" данного продукта, предназначенного, как утверждается в опубликованном официальном пресс-релизе, для совместного использования с чипсетами Intel P35 и X38 Express, являются впечатляюще низкие значения задержек, равные 7-7-7-20, в то время как рабочее напряжение новых модулей составляет 1,9 В. Всё это позволило разработчикам смело отнести своё детище к числу одних из самых быстрых подобных решений на рынке. Теперь нам с вами остаётся лишь узнать, когда, где и по какой цене Patriot 4GB DDR3 Extreme Performance Low Latency Memory Kit появится в продаже, ибо на данный момент об этом производитель пока не предоставил какой-либо информации.

http://www.3dnews.ru/news/1600_mgts_...m_4_gb-269994/

[kellan]

Цитата: Интенсивно развивает свою относительно новую продуктовую линейку aXeRam, рассчитанную на энтузиастов, компания Transcend. Осенью в ней уже были выпущены модули DDR2-1066+ и DDR2-800+, а сейчас она пополнилась еще и DDR2-1200+. Примечательной особенностью новинки является то, что Transcend удалось добиться стабильной ее работы уже при напряжении 2,2 В, в то время, как большая часть аналогов на рынке требуют 2,3 и даже 2,4 В. В данный момент в продаже будут доступны наборы из двух модулей aXeRam DDR2-1200+ суммарным объёмом в 2 Гб. Они используют 16 чипов Micron каждый и шестислойный дизайн печатной платы. Радиаторы изготовлены из алюминия. Transcend-aXeRam1200_20071023175346250.jpg Новая память Transcend поддерживает технологию EPP (Enhanced Performance Profiles). Заявленные тайминги составляют 5-5-5-15, но не исключено, что пользователи смогут их немного снизить. aXeRam DDR2-1200+ имеет пожизненную гарантию производителя.

www.ixbt.com

[kellan]

Цитата: Ассортимент выпускаемых компанией Mushkin модулей DDR2-памяти из продуктовой линейки eXtreme Performance пополнился новыми 240-контактными новинками XP2-6400 объёмом 2 Гб. 63827.jpg Устройства функционируют на частоте 800 МГц с задержками 4-4-4-12, характеризуются рабочим напряжением 2,0-2,1 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. При этом изделия уже сейчас доступны для приобретения, причём как поштучно по цене $120, так и в наборах стоимостью $240, состоящих из двух планок общей вместимостью 4 Гб.

http://www.3dnews.ru/news/_ekstremal...ushkin-270182/

[kellan]

Цитата: Компания OCZ Technology Group представляет очередную модель высокопроизводительной оперативной памяти - модули стандарта DDR2, принадлежащие серии ReaperX, и функционирующие на частоте 800 МГц. Главной особенностью устройств является наличие уникального кулера, обеспечивающего эффективное охлаждения высокопроизводительных микросхем памяти, который включает в свой состав сразу две теплопроводящие трубки, и алюминиевый радиатор для рассеяния тепла. ReaperX_sm.jpg Высокая производительность устройств обеспечивается не только рабочей частотой в 800 МГц, но и низкими значениями таймингов - 4-4-3. Помимо этого, модули оснащены микросхемами памяти общим объемом 2 Гбайт, и поставляются в комплекте объемом 4 Гбайт. Основные характеристики оперативной памяти OCZ ReaperX: * рабочая частота 800 МГц; * значения таймингов: 4-4-3-15; * рабочее напряжение - 2,1 Вольт; * общий объем установленных микросхем памяти - 2 Гбайта.

http://www.hwp.ru/scripts/news_show.php?8559

[kellan]

Цитата: Любителей самостоятельно создавать высокопроизводительные компьютерные системы наверняка порадует сделанный на днях компанией Power Quotient International (PQI) анонс новых 240-контактных модулей DDR3-памяти, функционирующих на частоте 1333 МГц с задержками CL8 и CL9. 64847.jpg По заявлениям разработчиков, новинки, предлагаемые в версиях объёмом 1 и 2 Гб, полностью соответствуют стандартам JEDEC и изготовлены с использованием восьми 80-нм чипов Samsung с корпусировкой FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array). При этом каждая из планок характеризуется рабочим напряжением 1,5-1,7 В, а её габаритные размеры составляют 133,35 x 30 x 4 мм. Что же касается предполагаемой цены изделий и времени их вероятного появления в продаже, то на этот счёт каких-либо точных сведений от производителя пока не поступало.

http://www.3dnews.ru/news/moduli_pam...iastov-270617/

[kellan]

Цитата: Компания Walton Chaintech, пережившая за последние два года серьёзную реорганизацию бизнеса и объединение с Walton Advanced Technology, в очередной раз поддержала будущий стандарт оперативной памяти DDR3. Тайванский производитель объявил о выпуске новых модулей класса DDR3-1800 (PC3-14400) объёмом 1 Гб, которые возглавили линейку APOGEE GT. Целевой аудиторией представленных планок являются, прежде всего, компьютерные энтузиасты и сторонники разгона, владельцы производительных систем на базе чипсетов Intel P35/X38 Express. Пресс-служба Walton Chaintech информирует, что модули APOGEE GT PC3-14400 могут работать на эффективной частоте 1800 МГц с довольно жёсткими задержками CL8-8-8-24. Новые планки лишены средств для коррекции ошибок (non-ECC), принадлежат к категории небуферизированной памяти и содержат по восемь FBGA-чипов производства Micron. За оптимальный температурный режим микросхем несёт ответственность стильный алюминиевый радиатор синего цвета с броским логотипом APOGEE. 64966.jpg После сегодняшнего анонса в серию Walton Chaintech APOGEE GT зачислены четыре типа модулей памяти передового стандарта: DDR3-1800 / 1600 / 1333 / 1066. Все они доступны в виде протестированных на совместимость двухканальных наборов общим объёмом по 2 Гб (2 x 1 Гб). О доступности в продаже и стоимости новых DDR3-наборов производитель ничего не сообщает, но можно догадаться, что они окажутся во много раз дороже DDR2-продуктов с аналогичным объёмом.

http://www.3dnews.ru/news/ddr3_1800_...gee_gt-270680/

[kellan]

Цитата: Как сказано в официальном пресс-релизе, «вдохновленная выходом игры Crysis», компания OCZ Technology Group, представила два высокопроизводительных набора памяти, ориентированных на самых завзятых игроков. Предполагается, что эти покупатели сейчас активно готовят свои компьютеры к выходу долгожданной игры Crysis, наращивая производительность всех подсистем. Поскольку быстрая память способна дать заметный прирост производительности, компания надеется, что наборы OCZ PC3-10666 (DDR3-1333) и PC2-8000 (DDR2-1000) ReaperX окажутся, что называется, в нужное время в нужном месте. ReaperX_b[1].jpg Для модулей, входящих в наборы характерно сочетание высоких скоростных показателей и высокоэффективной системы охлаждения. Каждый модуль оснащен оснащен тепловой трубкой, отводящей тепло к алюминиевому радиатору. Модули PC3-10666 ReaperX поддерживают технологию EPP (Enhanced Performance Profiles). ReaperXTopB[1].jpg Наборы доступны в вариантах суммарным объемом 2 ГБ (2x1024 МБ) и 4 ГБ (2x2048 МБ). Модули, отобранные для наборов, рассчитаны на работу в двухканальном режиме. На момент публикации новости цена новинок еще не названа.

www.ixbt.com

[evil-SHADOW]

Цитата: Предполагается, что эти покупатели сейчас активно готовят свои компьютеры к выходу долгожданной игры Crysis

Блин, ну что за истерия... Свет клином на Кризисе сошелся...

[kellan]

Цитата: Как известно, один известный поставщик модулей памяти уже объявил о начале продаж продукции, ориентированной на использование совместно с процессорами AMD Phenom. Это компания Kingston Technology со своими модулями DDR2-1066. tracer_240pin_350x86_003.gif От своего конкурента не отстает и компания Micron Technology, объявившая о начале поставок под маркой Crucial модулей объемом 1 и 2 ГБ, в которых используются компоненты DDR2-1066 плотностью 1 Гбит. Эти компоненты на треть быстрее по сравнению с компонентами DDR2-800, которые до настоящего времени были самыми быстрыми (без учета разгона) в ассортименте Micron Technology. Компоненты модулей изготовлены с применением техпроцесса 6F² (нормы 78 нм) и рассчитаны на стандартное напряжение питания 1,8 В. Используя эту память, можно изготавливать модули объемом от 512 МБ до 2 ГБ. По словам производителя, работая вместе с четырехъядерными процессорами AMD Phenom, новые модули способны удовлетворить требованиям приложений, нуждающихся в максимальной производительности.

www.ixbt.com

[kellan]

Цитата: Kingston Technology, крупный поставщик модулей оперативной памяти, объявил о начале продаж памяти ValueRAM, рассчитанной на частоту 1066 МГц и разработанной специально для использования совместно с новыми процессорами AMD Phenom. VR_DDR2_HI_RES.jpg Инженеры компании тесно сотрудничали с AMD в процессе подготовки к выходу платформы Spider, включающей процессоры Phenom, графические карты ATI Radeon серии HD 3800 и наборы системной логики AMD серии 7, чтобы гарантировать максимальную производительность памяти Kingston. Как утверждается, 1066-МГц модули ValueRAM помогут раскрыть преимущества Phenom, обеспечив производительность, соответствующую четырехъядерной архитектуре процессора. vrboxenglish_2[1].jpg «Формула» задержек новых модулей выглядит, как CL7-7-7-20 (при напряжении питания 1,8 В). Полный список представленных продуктов Kingston Technology: * KVR1066D2N7/512 — 512 МБ, рекомендованная розничная цена на рынке США — $89; * KVR1066D2N7/1G — 1 ГБ, CL7-7-7-20, $178; * KVR1066D2N7K2/1G — набор из двух модулей суммарным объемом 1 ГБ, $170; * KVR1066D2N7K2/2G — набор из двух модулей суммарным объемом 2 ГБ, $340.

www.ixbt.com

[kellan]

Цитата: Производители оперативной памяти, увлечённые продвижением перспективных модулей DDR3, продолжают уделять наибольшее внимание доминирующему стандарту DDR2. Компания GeIL, один из заметных игроков рынка памяти, объявила о выпуске новой серии DDR2-модулей Black Dragon Evo One. Представленные продукты принадлежат игровой линейке GeIL и ориентированы на ПК различного уровня, от домашних систем до конфигураций с развитыми графическими возможностями. По заявлению разработчиков, новые модули обеспечат подсистеме памяти высокую производительность, стабильную и надёжную работу при низком энергопотреблении. 66077.jpg Модули GeIL из серии Black Dragon Evo One работают на эффективных частотах 800 МГц (PC2-6400) и 1066 МГц (PC2-8500) с задержками CL 4-4-4-12 и CL 5-5-5-15. Новые DDR2-продукты пополнили ассортимент тайваньской компании на 12 наборов общим объёмом 2, 4 и 8 Гб. 66078.jpg Для охлаждения FBGA-чипов и 8-слойных печатных плат новых модулей производитель разработал эффективные радиаторы с технологией MTCD (Maximized Thermal & Conduction Dissipation). Они состоят из алюминиевых пластин, контактирующих непосредственно с микросхемами памяти, и усилены медными тепловыми трубками для лучшего отвода тепла от очагов нагрева. 66079.jpg

http://www.3dnews.ru/news/geil_vipus...0_1066-271164/

[kellan]

Цитата: Несмотря на некоторые перебои в работе официального сайта компании Patriot Memory, благодаря китайским источникам мы можем узнать о выпуске новой памяти класса DDR3, которую сам производитель относит в раздел продуктов "Extreme Performance" на своем сайте. 2007112212424666869181820.jpg Линейка продуктов Patriot Extreme Performance (EP) Low Latency призвана удовлетворить самые высокие требования игроков к скорости подсистемы памяти их компьютеров. Новые модули памяти относятся к классу PC3-15000 (рабочая частота 1866 МГц), работают при напряжении 1,9 В и задержках 8-8-8-24, и доступны в наборах по 2 ГБ. Высокой стабильности при такой скорости, как отмечается, модулям удается достигать благодаря использованию технологии Patriot Aluminum Bladed Heat Shield, которая представляет собой, как видно на фото, алюминиевый двухсторонний радиатор-теплоотвод. PDC32G1866LLK.jpg На эти RoHS-модули, отобранные и протестированные вручную, производитель дает пожизненную гарантию. P/N: PDC32G1866LLK (Patriot Extreme Performance DDR3 2GB (2 x 1G PC3-15000 Low Latency DIMM Kit) и PEP31G1866LL (Patriot Extreme Performance DDR3 1GB PC3-15000 Low Latency DIMM).

www.ixbt.com

[Jon]

Цитата: Компания Hynix Semiconductor объявила о том, что ее компоненты памяти DDR2 плотностью 1 Гбит, выпущенные по нормам «50-нм класса», прошли верификацию Intel. Переход от техпроцесса 60-нм класса к техпроцессу 50-нм класса, по словам Hynix, позволяет существенно, на 50%, повысить эффективность производства, и компания рассчитывает на соответствующее снижение себестоимости микросхем. 1_r_028.jpg Компания Hynix Semiconductor объявила о том, что ее компоненты памяти DDR2 плотностью 1 Гбит, выпущенные по нормам «50-нм класса», прошли верификацию Intel. Переход от техпроцесса 60-нм класса к техпроцессу 50-нм класса, по словам Hynix, позволяет существенно, на 50%, повысить эффективность производства, и компания рассчитывает на соответствующее снижение себестоимости микросхем. В чипах памяти плотностью 1 Гбит нашли применение новые технологии: «трехмерные транзисторы» и «W-DPG (Dual Poly Gate)». Это привело к значительному уменьшению утечек, что, в свою очередь, положительно сказалось на энергопотреблении и быстродействии памяти. Упомянутые технологии в будущем планируется распространить и на память DDR3. Серийный выпуск чипов DDR2 плотностью 1 Гбит и продуктов DDR3 начнется во второй половине будущего года.

Источник: http://www.ixbt.com

[Jon]

Цитата: О выпуске новых 2-гигабайтных модулей памяти DDR2-667 Register DIMM сообщила на днях компания Silicon Power, особо подчеркнув, что её высокопроизводительные новинки специально предназначены для использования в мощных серверных системах. 66270.jpg По словам разработчиков, решения основаны на 18 брендовых чипах 126M x 8 DDR2 с корпусировкой FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array), которые сформированы на прочных 6-слойных печатных платах с соблюдением всех требований стандартов JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). При этом изделия отличаются повышенной степенью надёжности и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. А вот информации о том, когда и по какой цене начнутся массовые продажи новых планок памяти, увы, пока от их создателей не поступало.

Источник: http://www.3dnews.ru/

[kellan]

Цитата: Гонка на рынке модулей оперативной памяти выявила очередного победителя. На этот раз им стала компания A-DATA Technology, которая представила новые модули класса PC3-16000 (DDR3-2000) для производительной X-серии. Предыдущим значимым достижением тайваньской компании можно назвать анонс планок DDR3-1900 X, состоявшийся в начале прошлого месяца. 66331.jpg Безусловно, главной особенностью модулей A-DATA Vitesta DDR3-2000 X является склонность к хорошему разгону. Производитель утверждает о способности работать на эффективной частоте 2000 МГц с довольно жёсткими для таких условий задержками CL 9-9-9-24. Это означает, что у энтузиастов разгона появилась возможность улучшить свои результаты на системах нового поколения на базе чипсетов Intel P35 и X38. Пресс-служба A-DATA называет материнские платы ASUS Maximus Extreme (Intel X38) и Blitz Extreme (Intel P35) наиболее подходящими для получения максимальной отдачи от модулей Vitesta DDR3-2000 X. 66332.jpg Для подтверждения своих слов разработчики приводят данные из популярного программного пакета EVEREST для диагностики и тестирования ПК. Экстремально разогнанная система на базе процессора Intel Core 2 Duo E6850, материнской платы ASUS Maximus Extreme (Intel X38) и 2 Гб памяти A-DATA Vitesta DDR3-2000 X в тесте "Memory bandwidth read and write" достигла результата близкого к 13000 Мб/с. Пресс-служба напоминает, что предыдущий рекорд A-DATA принадлежит памяти DDR3-1900 X и составляет примерно 12000 Мб/с. Модули Vitesta DDR3-2000 X построены на базе самых производительных чипов от компании Micron. Перед поступлением в продажу DDR3-память из X-серии проходит жёсткие промышленные тесты на стабильность. Кроме того, предусмотрены испытания на совместимость для работы в двухканальном режиме. Остаётся добавить, что планки A-DATA DDR3-2000 X будут доступны в наборах общим объёмом 2 Гб (2 x 1 Гб).

http://www.3dnews.ru/news/a_data_vit...odiuli-271264/

[kellan]

Цитата: Специально для высокопроизводительных игровых систем и мощных рабочих станций компания OCZ Technology выпустила новый 8-гигабайтный набор памяти, состоящий из четырёх 240-контактных DIMM-модулей DDR2 PC2-6400 Platinum Edition объёмом 2048 Мб каждый. 67031.jpg По заявлениям разработчиков, данный комплект должен в первую очередь заинтересовать заядлых геймеров и компьютерных энтузиастов, выбравших в качестве операционной системы платформу Windows Vista. При этом входящие в него планки памяти функционируют на частоте 800 МГц с задержками CL 5-4-4-18, характеризуются номинальным напряжением 2,1 В (допускается увеличение до 2,2 В за счёт функции OCZ Extended Voltage Protection), оборудованы фирменным радиатором Platinum Mirrored XTC (Xtreme Thermal Convection) Heatspreader и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. 67032.jpg Вот только, к сожалению, о стоимости и сроках начала массовых продаж набора OCZ DDR2 PC2-6400 8GB Platinum Quad Kit (серийный номер OCZ2P8008GQ) пока ничего не сообщается.

http://www.3dnews.ru/news/8_platinov...ot_ocz-271533/

[kellan]

Цитата: В ассортименте выпускаемых компанией Patriot Memory продуктов появилась новая серия модулей памяти DDR3, грозно именуемая Viper (в переводе с английского означает "гадюка"). 67509.jpg Главной особенностью представленных изделий является то, что для поддержки оптимального температурного режима в них используется особый по конструкции радиатор Aluminum-Copper Composite (ACC) Heatspreader, который, как утверждают разработчики, обеспечивает стабильное и безотказное функционирование устройств даже в условиях очень интенсивных нагрузок. Кроме того, все новинки прошли специальное тестирование, результаты которого подтвердили их абсолютную совместимость с такими наборами системной логики, как Intel P35 и Intel X38. При этом полный перечень предлагаемых пользователям наборов, каждый из которых включает наличие двух планок памяти и обеспечивается пожизненной гарантией качества, выглядит так: Patriot Extreme Performance Viper Series DDR3 2GB PC3-15000 Low Latency DIMM Kit (серийный номер – PVS32G1866LLK, объём памяти – 2 х 1 Гб, рабочая частота – 1866 МГц, тайминги – 8-8-8-24, номинальное напряжения – 1,9 В Patriot Extreme Performance Viper Series DDR3 2GB PC3-12800 Low Latency DIMM Kit - серийный номер – PVS32G1600LLK, объём памяти – 2 х 1 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 7-7-7-20, номинальное напряжения – 1,9 В Patriot Extreme Performance Viper Series DDR3 4GB PC3-12800 Low Latency DIMM Kit - серийный номер – PVS34G1600LLK, объём памяти – 2 х 2 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 7-7-7-20, номинальное напряжения – 1,9 В Patriot Extreme Performance Viper Series DDR3 2GB PC3-12800 Low Latency DIMM Kit - серийный номер – PVS32G1600LLK, объём памяти – 2 х 1 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 7-7-7-18, номинальное напряжения – 1,8 В Patriot Extreme Performance Viper Series DDR3 4GB PC3-12800 Low Latency DIMM Kit - серийный номер – PVS34G1600LLK, объём памяти – 2 х 2 Гб, рабочая частота – 1600 МГц, тайминги – 7-7-7-18, номинальное напряжения – 1,8 В Patriot Extreme Performance Viper Series DDR3 2GB PC3-10666 Low Latency DIMM Kit - серийный номер – PVS32G1333LLK, объём памяти – 2 х 1 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – 7-7-7-20, номинальное напряжения – 1,7 В Patriot Extreme Performance Viper Series DDR3 4GB PC3-10666 Low Latency DIMM Kit - серийный номер – PVS34G1333LLK, объём памяти – 2 х 2 Гб, рабочая частота – 1333 МГц, тайминги – 7-7-7-20, номинальное напряжения – 1,7 В А вот стоимость и время вероятного появления вышеописанных продуктов в продаже производителем, увы, пока не обнародованы.

http://www.3dnews.ru/news/_prohladna...atriot_memory/