Модули оперативной памяти

[Yagr]

ram-auf.jpg

Операти́вная па́мять (также оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) — в информатике — память, часть системы памяти ЭВМ, в которую процессор может обратиться за одну операцию (jump, move и т. п.). Предназначена для временного хранения данных и команд, необходимых процессору для выполнения им операций. Оперативная память передаёт процессору данные непосредственно, либо через кэш-память. Каждая ячейка оперативной памяти имеет свой индивидуальный адрес.

ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок или входить в конструкцию однокристальной ЭВМ или микроконтроллера.

Подробнее о типах памяти

На сегодня наибольшее распространение имеют два вида ОЗУ:

SRAM (Static RAM)

ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто/ или нет статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи.

DRAM (Dynamic RAM)

Более экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов необходимо регенерировать через определённый интервал времени — для восстановления. Регенерация выполняется путём считывания заряда (через транзистор). Контроллер памяти периодически приостанавливает все операции с памятью для регенерации её содержимого, что значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память на конденсаторах получила своё название Dynamic RAM (динамическая память) как раз за то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени.

Таким образом, DRAM дешевле SRAM и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше битов, но при этом её быстродействие ниже. SRAM, наоборот, более быстрая память, но зато и дороже. В связи с этим обычную память строят на модулях DRAM, а SRAM используется для построения, например, кэш-памяти в микропроцессорах.

В этой теме размещаем новости о модулях оперативной памяти

[kellan]

Цитата: В ассортименте выпускаемых компанией TwinMOS Technologies продуктов появились новые высокопроизводительные планки памяти DDR3-1333 SO-DIMM, предназначенные для использования в мощных портативных компьютерных системах. 67625.jpg Каждый из 204-контактных модулей построен на 8-слойной печатной плате, основан на чипах памяти с корпусировкой FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array), снабжён 8-битным буфером предварительной выборки данных и функционирует на впечатляющей частоте 1333 МГц. При этом номинальное напряжение решений составляет 1,5 В, а применение таких технологий, как ODT (on-die-termination) и ASR (auto self-refresh), по словам разработчиков, гарантирует стабильную работу устройств на высокой частоте без перегрева и одновременно заметно снижает их энергопотребление. В заключение отметим, что все новинки обеспечиваются пожизненной гарантией качества, однако информации о стоимости и времени их появления в продаже, увы, пока не поступало.

http://www.3dnews.ru/news/_shustraya...lya_noutbukov/

[kellan]

Цитата: Новые 240-контактные модули памяти DDR2-800 Unbuffered DIMM объёмом 2 Гб каждый (серийный номер SP002GBLRU800S02), анонсированные на днях компанией Silicon Power, по словам разработчиков, специально предназначены для использования в мощных профессиональных компьютерах и рабочих станциях, поскольку отличаются завидной производительностью и высокой степенью надёжности. 67763.jpg Согласно озвученной в опубликованном официальном пресс-релизе информации, каждая планка основана на шестнадцати брендовых чипах 128M x 8 DDR2 SDRAM с корпусировкой FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array), которые сформированы на 6-слойной печатной плате с соблюдением всех требований стандартов JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). При этом устройства характеризуются номинальным напряжением 1,8 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. Если же говорить о стоимости и сроках начала массовых продаж изделий, то об этом, увы, каких-либо сведений от производителя пока не поступало.

http://www.3dnews.ru/news/moduli_ddr...silicon_power/

[kellan]

Цитата: Компания OCZ Technology сообщила о выпуске новой высокопроизводительной памяти стандарта DDR3. Новая ХМР-память (Intel Extreme Memory Profiles) ориентирована на компьютерных энтузиастов и оверклокеров, которые будут строить свои ПК на базе чипсета Intel X48, для работы с которым она и оптимизирована. В новой памяти для оверкловеров доступны два XMP-профайла с разными предварительно записанными таймингами. Extreme Memory.jpg Параметры: * Рабочая частота: 1800 МГц * Тип: 240-контактный модуль DIMM * Задержки: CL 8-8-8 (CAS-TRCD-TRP) * XMP Profile 1: 1800 8-8-8 * XMP Profile 2: 1800 7-7-7 * Охлаждение: теплорассеиватель Titanium Z3 XTC * Питание: 2,05 В * Пожизненная гарантия производителя * P/N: 1GB OCZ3T1800XM1G и 2GB OCZ3T1800XM2GK

www.ixbt.com

[nikitka]

подскажите, как выбрать память для ноута, DDR2 и где ее ставить??!!

[Toxic]

Цитата: По данным, поступающим от производителей памяти, поставщики ноутбуков первого эшелона, такие, как Dell, Hewlett Packard и Toshiba, планируют увеличить объем памяти базовых конфигураций до 4 ГБ, начиная с первого квартала 2008 года. Как ожидается, это позволит исправить сложное положение на рынке DRAM. В настоящее время наиболее распространенным значением объема памяти ноутбуков является 1 ГБ. Цены на модули DRAM объемом 1 ГБ снизились во второй половине декабря до $16, в то время как цена за пару модулей по 2 ГБ, вероятно, составит в первом квартале 2008 года менее $60. В этом случае, полагает источник, на оперативную память в ноутбуке ценой $1000 будет приходиться всего лишь 6%. Это заметно ниже, чем 10% от полной стоимости системы, как было раньше. Привлекательно низкая плата за пару модулей DRAM объемом по 2 ГБ подтолкнет большинство производителей ноутбуков к переходу на новый стандарт де-факто — 4 ГБ в базово конфигурации, рассчитывают изготовители памяти. В свою очередь, это увеличит спрос на память и устранит ситуацию с ее перепроизводством, имеющую место в текущем году. Источник: Digitimes

http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?09/82/88

[Fit]

Chaintech выпустила самые быстрые модули DDR3-2000

Цитата: Стало известно о готовности компании Walton Chaintech выпустить новые модули оперативной памяти стандарта DDR3, работающие на эффективной частоте 2000 МГц (тактовая частота - 1000 МГц). Появление во флагманской линейке Chaintech APOGEE GT Blazer планок DDR3-2000 (PC3-16000) означает, что компания A-DATA Technology перестаёт быть единственной, кто предлагает компьютерным энтузиастам и сторонникам экстремального разгона оперативную память такого класса. Новые модули APOGEE GT Blazer DDR3-2000 основаны на микросхемах из серии D9G производства Micron, благодаря которым возможна стабильная работа на 2000 МГц с довольно жёсткими для данных условий задержками CL 9-8-8-24. Что касается аналогичных планок от компании A-DATA, они могут функционировать как DDR3-2000 с таймингами CL 9-9-9-24. Для охлаждения новой DDR3-памяти, работающей в двухканальной связке, тайваньский производитель предлагает недавно представленную конструкцию под названием Cool It Smart. На фотографии коробочной версии набора APOGEE GT Blazer DDR3-2000 общим объёмом 2 Гб система охлаждения изображена в пассивном варианте. В отдельных случаях не исключается возможность установки двух вентиляторов для улучшения температурного режима DRAM-чипов. 1.jpg Модули Chaintech APOGEE GT Blazer DDR3-2000 позволят владельцам материнских плат на чипсетах Intel X38 или P35 с хорошим разгонным потенциалом добиться максимальной производительности подсистемы памяти. В наступающем году с выходом очередного флагманского чипсета Intel X48 сфера применения новой оперативной памяти должна расшириться. По вопросу стоимости новых модулей компания Chaintech ничего не сообщает. Источник иронизирует, что ей не хочется лишний раз расстраивать поклонников своей продукции перед наступающими праздниками.

www.3dnews.ru

[kellan]

Цитата: В ассортименте производимых компанией Mushkin модулей памяти типа DDR2, входящих в продуктовую линейку High Performance, появились сразу три новых набора категории Limited Edition, каждый из которых состоит из двух планок, оборудованных радиатором с особой камуфляжной расцветкой. 69037.jpg Так, потребителям предлагаются комплекты Mushkin High Performance HP2-6400 2GB Kit (серийный номер – 996581, объём – 2 х 1 Гб, рабочая частота – 800 МГц, тайминги – CL4-4-4-12), Mushkin High Performance HP2-8500 2GB Kit (серийный номер – 996588, объём – 2 х 1 Гб, рабочая частота – 1066 МГц, тайминги – CL5-5-5-18) и Mushkin High Performance HP2-6400 4GB Kit (серийный номер – 996589, объём – 2 х 2 Гб, рабочая частота – 800 МГц, тайминги – CL5-5-5-18), обеспечиваемые пожизненной гарантией качества. А вот о стоимости и времени появления вышеуказанных изделий в продаже информации от разработчиков, увы, пока не поступало.

http://www.3dnews.ru/news/tri_nabora...mited_edition/

[kellan]

Цитата: Специально для заядлых игроманов, а также продвинутых пользователей, желающих повысить производительность своих компьютерных систем, компания Silicon Power анонсировала выпуск новых высокоскоростных модулей памяти Unbuffered DDR2-800 объёмом 1 Гб каждый. 70225.jpg Как особо подчёркивается в опубликованном пресс-релизе, новинки характеризуются очень малыми значениями задержек, которые равны CL 4-4-4-14, тогда как номинальное рабочее напряжение составляет 1,8 В. Кроме того, сообщается, что чипы памяти с корпусировкой FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) сформированы на 6-слойной печатной плате с соблюдением всех требований стандартов JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), а для поддержания оптимального температурного режима в модулях применены алюминиевые радиаторы. Также разработчики отмечают, что их детища отличаются высокой степенью надёжности и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. А вот о стоимости изделий и дате начала их массовых продаж производитель, к сожалению, какой-либо информации пока не предоставил.

http://www.3dnews.ru/news/_shustrii_...silicon_power/

[Rise]

Оперативная память DDR3 с частотой 2133 МГц

Цитата: Выставка CES 2008 может похвастать не только наличием таких уникальных экспонатов, как огромные плазменные телевизионные системы, но и присутствием высокоскоростных модулей оперативной памяти, предназначенных для установки в мощнейшие персональные компьютеры энтузиастов. Выпуском именно такой памяти отметилась компания Team Group, на стенде которой присутствуют модули "оперативки" стандарта DDR3, способные работать на частоте до 2133 МГц (PC3-17000). c10c764d9fc90c5b04f4375de105f209_full.jpg Основные характеристики скоростной памяти от Team Group: Рабочая частота 2133 МГц; Объем установленной памяти - 1 Гбайт (покупателям предлагается Комплект из двух "планок" общим объемом 2 Гбайт); Тайминги - 10-10-10-30; Рабочее напряжение - 2,1~2,2 Вольт; Использование 6-слойных печатных плат; Пассивная система охлаждения. Как видно из представленных характеристик, одним из основных недостатков скоростной оперативной памяти стандарта DDR3 остаются довольно высокие значения задержек. Вторым же недостатком устройств является очень высокая стоимость памяти Team Group PC3-17000, которая появится в продаже по цене от $700 за комплект из двух модулей.

http://mom.nnm.ru/operativnaya_pamya...otoiy_2133_mgc

[AndyK]

Цитата: По заявлению тайваньской компании Apacer Technology, она стала первой из производителей оперативной памяти, представившей регистровые DDR2-модули (Registered DIMM) объёмом 8 Гб. Новые планки относятся к категории DDR2-667 CL5 (PC2-5300) с аппаратной коррекцией ошибок (ECC) и предназначены для высокопроизводительных серверов и рабочих станций, построенных на базе процессоров AMD Opteron. До выхода 8-Гб продуктов ассортимент производителя с многолетним опытом работы на серверном рынке возглавляли 4-Гб модули DDR2-667 ECC Registered DIMM. Для серверов на процессорах Intel Xeon самыми ёмкими остаются полностью буферизированные (FB-DIMM) модули DDR2-667/533 объёмом 4 Гб, о которых мы рассказывали в наших новостях. 72944.jpg Новые планки от Apacer основаны на тщательно отобранных DRAM-чипах с организацией 256Mx4, выпущенных компанией Elpida Memory с использованием норм 70-нм техпроцесса. Данные микросхемы позволили создать передовые продукты, сочетающие в себе высокую ёмкость, экономичность, стабильность и надёжность. Перед тем, как покинуть заводское помещение, оперативная память от тайваньского производителя проходит комплекс строгих тестов, в том числе в условиях, приближённых к реальной работе. Кроме того, выпускаемые продукты подвергаются различным испытания на стойкость к внешнему электрическому, механическому и температурному воздействию. Пресс-служба компании особо отмечает, что её модули памяти сертифицированы лабораторией CMTL (Computer Testing Labs). Apacer 8 Gb DDR2-667 ECC Registered DIMM Основные характеристики новых 8-Гб модулей от Apacer: * Тип модулей: DDR2-667 ECC Registered DIMM; * Код продукта: 78.C1GA1.42D; * Объём: 8 Гб; * Задержка CAS CL5; * DRAM-чипы Elpida с организацией 256Mx4; * Технология производства чипов: 70 нм; * Напряжение питания: 1,8 В (± 0,1 В); * Число контактов: 240; * Высота печатной платы: ~54 мм; * Гарантия производителя на весь жизненный цикл; * Соответствие стандарту RoHS.

http://www.3dnews.ru

[hydra]

Сообщение от AndyK * Гарантия производителя на весь жизненный цикл;

Оффтоп

Оффтоп

А жизненный цикл у него 12 мес.

[Toxic]

Оффтоп

Оффтоп

hydra, память для серверов.

[AndyK]

Цитата: О выводе на рынок нового набора из двух 240-контактных модулей памяти DDR2 общим объёмом 4 Гб, функционирующих в двухканальном режиме на частоте 1066 МГц с впечатляющими задержками 5-5-5-15, отрапортовала компания Apacer Technology. 74356.jpg Как особо подчёркивается в опубликованном официальном пресс-релизе, данный продукт нацелен в первую очередь на заядлых геймеров, компьютерных энтузиастов и любителей экстремального разгона, для которых основополагающими критериями при выборе планок памяти являются их высокая производительность, стабильность в работе и большой объём. При этом отмечается, что изделия изготовлены с применением передовой технологии SMT (Surface Mount Technology) в полном соответствии с требованиями стандартов JEDEC, имеют схему организации 128Mх8, характеризуются рабочим напряжением 2,0 В и обеспечиваются пожизненной гарантией качества. 74357.jpg Что же касается стоимости нового комплекта и сроков начала его массовых продаж, то эта информация, увы, разработчиками пока ещё не озвучена.

http://www.3dnews.ru

[AndyK]

Цитата: С появлением более плотных скоростных микросхем памяти производители начали охотнее продвигать на рынок комплекты модулей объёмом 2 х 2 Гб. Компания Corsair недавно заявила о готовности выпустить к концу февраля наборы памяти 2 х 2 Гб типа DDR2-1066 и DDR2-1142. Традиционно считается, что меньшее количество модулей в системе разгоняется лучше, а потому сторонники больших объёмов памяти обрадовались появлению оверклокерских модулей объёмом 2 Гб. Не желая отставать от конкурентов, компания OCZ Technology заявила о выпуске комплектов памяти типа DDR3-1333 объёмом 2 х 2 Гб в серии Reaper HPC. Как вы можете помнить, эта серия модулей памяти характеризуется наличием выносного радиатора на тепловой трубке. ocz_01.jpg Модули памяти DDR3-1333 (PC3-10666) от OCZ обладают таймингами 6-6-6-18 и работают при напряжении 1.75 В. Производитель сохраняет гарантию даже в том случае, если модули работают при напряжении 1.8 В. Модули памяти можно купить как в комплектах объёмом 2 х 1 Гб, так и в комплектах объёмом 2 х 2 Гб. О цене модулей памяти ничего не сообщается, но производитель даёт намёк, что снижение цен на память позволяет покупать младшие модули DDR-3 по цене старших модулей DDR-2. При этом разгонный потенциал первых выше, и по мере снижения цен перспективы памяти типа DDR-3 будут становиться всё более очевидными.

http://overclockers.ru/

[kellan]

Цитата: Компания Hynix Semiconductor Inc объявила о начале производства модулей памяти 2-Rank 8GB PC2-4200 RDIMM, оснащенных технологией MetaSDRAM, разработанной фирмой MetaRAM. Модули HYMP31GP72CUP4-C6 обеспечивают двукратное увеличение объема памяти компьютерных систем на базе процессоров AMD Opteron и Intel Xeon, а также 30-процентное снижение энергопотребления по сравнению со стандартными 4-ранговыми модулями емкостью 8 Гб и двухранговыми емкостью 2 Гб. Аналогичные модули памяти стандарта DDR3 с использованием технологии MetaRAM находятся в стадии разработки и должны быть запущены в производство во второй половине этого года. hynix_8gb.jpg Технология MetaRAM позволяет использовать при изготовлении модулей DIMM высокой плотности более дешевые компоненты DRAM без увеличения количество рангов и нагрузки на центральный процессор. Помимо этого при производстве новых двухранговых модулей памяти RDIMM используются чипы DDR2 SDRAM с плотностью записи 1 Гбит вместо значительно более дорогих чипов с плотностью 2 Гбит, что позволяет таким образом снизить стоимость самих модулей.

http://www.oszone.net/6618/Hynix_RDIMM

[kellan]

Цитата: Компания Power Quotient International (коротко PQI) обновила свою оверлокерскую линейку модулей памяти Turbo, представив новый набор 240-контактных модулей DDR2-1066 4 GB. Новый комплект включает в себя две планки памяти емкостью по 2 Гб каждая, которые состоят из восьми тщательно отобранных 70-нм чипов по 128 Мб, расположенных на 8-слойном текстолите. PQI_DDR2X2.jpg Новые модули памяти будут работать на частоте 1066 МГц с таймингами CL 5-5-5-15 при напряжении 1,92 В. Помимо этого новинки оснащаются высокоэффективными радиаторами, обеспечивающими качественное охлаждение чипов памяти. Наборы модулей памяти серии Turbo станут доступными после выставки CeBIT 2008, которая будет проходить в марте месяце в Германии.

http://www.oszone.net/6630/PQI_Turbo

[AndyK]

Цитата: Kingston Technology выпустила вчера демо-видео, на котором показаны её новые модули высокоскоростной памяти стандарта DDR3. Память, работающая на частоте 2,133-ГГц в системе на базе чипсета NVIDIA nForce 790i, относится к серии HyperX DDR3 и вскоре будет выпущена официально. Такой разгонный потенциал был достигнут модулями HyperX PC3-16000 (KHX16000D2K2/2G), которые изначально рассчитаны на работу на частоте 2,0 ГГц. Тем не менее, запас стабильности позволяет их разогнать до частоты 2 х 1066 МГц. Kingston_DDR3_CPUz.jpg Модули памяти, которые будут штатно работать на частоте выше 2 ГГц, будут, как ожидается, выпускаться уже в этом году. Они будут оптимизированы для работы с чипсетами Intel X48 и NVIDIA nForce 790i SLI. Память Kingston HyperX PC3-16000 будет доступна в продаже ещё в первом квартале этого года. Конкуренты тоже не дремлют — Chaintech и Corsair также показывали свои разработки, способные работать на частоте 2,0 ГГц (DDR3-2000) при напряжении питания 2,15 В.

http://www.ixbt.com/

[AndyK]

Цитата: Различные выставки, так или иначе связанные с демонстрацией передового компьютерного оборудования, всегда используются производителями оверклокерской памяти для негласного соревнования в рабочих частотах выпускаемых модулей. Подобные мотивы легко понять: появляющиеся в будничном порядке пресс-релизы быстро теряются в новостных лентах, на выставке же привлечь внимание к своей продукции несколько проще. Краткая фотосессия, кричащий заголовок о выходе самой быстрой памяти в мире - хороший пиар обеспечен. Не обошлось без подобных акций и на выставке CeBIT 2008. Почти все именитые производители модулей памяти привезли на CeBIT наборы памяти типа DDR3-2133, которые обычно демонстрировались в связке с чипсетом nForce 790i Ultra SLI, который может поддерживать такой режим работы памяти через расширения EPP. Демонстрируемые модули памяти DDR3-2133 обычно различались таймингами, рабочим напряжением и типом системы охлаждения. Kingston, например, показал модули DDR3-2133 с таймингами 9-10-9-27, которые работали при напряжении 2.0 В. ddr3_01.jpg Ещё в начале января Team Group показывала модули DDR3-2133 с таймингами 10-10-10-30, которые работали при напряжении 2.1-2.2 В, и при этом ограничивались для охлаждения обычными радиаторами. Эти модули памяти снова были замечены на выставке CeBIT 2008. ddr3_02.jpg Компания Corsair продемонстрировала модули памяти DDR3-2133 серии Dominator с дополнительной "батареей" вентиляторов, которые имеют весьма низкие на фоне конкурентов тайминги 8-8-8-24. ddr3_03.jpg Рабочее напряжение не указывалось. В качестве платформы использовался всё тот же чипсет nForce 790i Ultra SLI. Не надо думать, между тем, что только чипсеты NVIDIA ориентируются на работу с памятью типа DDR3-2133. Компания Intel не исключает возможности официальной сертификации памяти типа DDR3-2133 в обозримом будущем.

http://overclockers.ru/

[kellan]

Цитата: Компания OCZ представила на международной выставке CeBIT 2008 новую серию модулей оперативной памяти, которая будет представлена двумя наборами модулей, первая версия - стандарта DDR3, вторая - DDR2. Новая серия модулей под названием Flex II, как уже упоминалось, будет представлена набором модулей памяти DDR3, которые будут работать на частоте 2100 МГц с латентностью 10-10-10 при напряжении 1,9 В. На данный момент модули памяти серии Flex II от компании OCZ являются самыми "быстрыми" из всех существующих на рынке предложений. ocz_flex2_1.jpg Что касается модулей памяти DDR2, которые будут доступны в наборах из двух планок емкостью по 2 Гб каждая, то их рабочая частота составляет 1150 МГц с таймингами 5-5-5. Будущим покупателям ожидать низких цен на новинки не стоит, так как данные продукты нацелены на высокоценовой сегмент рынка компьютерных комплектующих. ocz_flex2_2.jpgocz_flex2_3.jpg

http://www.oszone.net/6719/OCZ_Flex_II

[kellan]

Цитата: После выпуска большого количества видеокарт серии GeForce 9600 GT компания MSI решила удивить компьютерный мир еще сильнее и представила на международной выставке CeBIT 2008 модули оперативной памяти собственного изготовления. Официальный запуск в промышленное производство новинок должен состояться в следующем квартале. MSI_Star_Memory_DDR2_01.jpg Представленная серия модулей памяти уже получила собственное название StarMemory и будет комплектоваться версиями DDR2-667 и DDR2-800 емкостью 1 и 2 Гб. Стоимость новых модулей, оснащенных красными и голубыми радиаторами, станет известна после выставки CeBIT 2008. Надеемся, что в ближайшем будущем компания MSI порадует нас выпуском более высокопроизводительных модулей оперативной памяти. Стоит также отметить, что на данные продукты Micro-Star International предоставляет пожизненную гарантию.

http://www.oszone.net/6709/MSI_DDR2