Разгон оперативной памяти

[zloy_kaktus]

Может все вместе разберемся...?
Дадим более полную и четкую информацию по разгону и что обозначает каждый пункт.., на выложенном рисунке...
Я постараюсь обновлять первое сообщение.., по приходу новой инфы в этой теме...
Программа для разгона

Скрытый текст
Вы должны войти под своим логином или зарегистрироваться и иметь 25 сообщение(ий)

Правила форума | Регистрация на форуме

Предупреждение: увидев этот блок скрытого текста, не стоит сразу бросаться набивать бессмысленные сообщения. Освойтесь на форуме, проникнитесь его атмосферой и пишите, если Вам действительно есть, что сказать. Если Модератор решит, что Вы набиваете сообщения, он удалит их все, а Вам выдаст либо предупреждение, либо сразу заблокирует Ваш аккаунт.

------
На примере DDR 512Mb Kingston (PC-3200, 400MHz)
Timings:
01) CAS Latency time (tCl), а CL2 и CL3 - время вводимой задержки в тактах (2 и 3 соответственно). Чем меньше задержка - тем больше скорость работы с памятью, но и тем больше риск, что данные попадут "не по адресу", что непременно вызовет сбой. Устойчивость к подобным сбоям - есть устойчивость по CL.
02) RAS-to-CAS Delay - Эта задержка вводится умышленно и необходима для того, чтобы было достаточно времени для однозначного определения адреса строки (сигнал RAS#) и столбца (сигнал CAS#) ячейки. Иными словами, данный параметр характеризует интервал между выставлением на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#. Понятно, что чем меньше данное значение, тем лучше, однако не стоит забывать, что за ним стоит возможность самих микросхем памяти реализовать установленную задержку, поэтому выбор здесь неоднозначен.
03) RAS Precharge Time - Параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS#, т.е. через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки. Данная установка может принимать значения 3 или 4 (в циклах шины), и во временном отношении аналогична предыдущей - чем меньше, тем лучше
04) RAS# Active time, к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC - Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time). По умолчанию устанавливается значение 6/8 - более медленное, но более стабильное, чем 5/6
05) 2T Timing – имеет два значения. Disable включает параметр 1Т в контроллере памяти процессоров на степпинге CG и выше. При этом доступ к памяти значительно ускоряется, но появляются проблемы с некоторыми модулями памяти. Параметр Enable задействует режим 2T.
Sub Timings:
06) Row Cycle Time (Trc) – Auto-Refresh Command Period (по терминологии AMD). Стандартными значениями являются 70нс или 7 тактов для частоты 100МГц, 65нс (8 тактов) для 133МГц, 60нс или 10 тактов для 166МГц и 55нс или 11 тактов для частоты 200МГц. В A64Tweaker его значение отображается в тактах. Ужесточение этого тайминга на один такт приносит прирост в два балла встроенного бенчмарка WinRAR.
07) Row Refresh Cycle Time (Trfc) – Auto-Refresh Command Period (по терминологии AMD). Стандартными значения являются: 80нс или 8 тактов для 100МГц, 75нс или 10 тактов для 133МГц, 72нс или 12 тактов для 166МГц и 70нс или 14 тактов для 200МГц. Уменьшение тайминга на единицу дает один-два балла в WinRAR.
08) RAS to RAS Delay (Trrd) - Active-to-Active of a Different Bank (по терминологии AMD). Стандартные значения: 2 такта для 166МГц, 2-3 такта для 200МГц. Ужесточение тайминга с трех тактов до двух не подарило мне ни одного балла в WinRAR. Детальная проверка выяснила, что на скорость памяти этот тайминг либо не влияет, либо влияет очень незначительно.
09) Refresh Rate (Tref) – устанавливается в пределах 100МГц 15.6us – 200МГц 1.95us и при этом ни на что не влияет.
10) Idle Cycle Limit – стандартная установка 16 clks, на некоторых матерях 256 clks. При разгоне абсолютно ни на что не влияет.
11) Write Recovery Time (Twr) - этот тайминг имеет стандартные значения 2 такта для 100 и 133МГц и 3 такта для 166 и 200МГц. A64Tweaker изменяет Twr в интервале 2-3, не более. Прироста производительности после уменьшения тайминга до двух тактов зафиксировано не было.
12) Write to Read Delay Time (Twtr) – может принимать значения 2 такта для 200МГц и 1 такт для прочих частот. Диапазон значений программы этими двумя и ограничивается. На моей системе при достаточно фривольных таймингах установка значения "1" вызывала перезагрузку. После установки модулей памяти A-DATA DDR-500 CL2.5, один такт установить все же удалось. Прирост составил 2 балла WinRAR. Да уж...
13) Read to Write Delay Time (Trtw) – Ужесточение тайминга с трех тактов до двух подарило 3 балла в WinRAR.
14) Read Write Queue Bypass – имеет стандартное значение 8х. Повышение/понижение его на производительности не сказывается.
15) Read Preamble имеет стандартное значение 5.5-6нс. Каждые 0.5 "стоят" 6-7 баллов WinRAR.
16) Max Async Latency – этот довольно непокорный параметр отсылал тестовую систему на перезагрузку при любом его изменении. Выставив этот параметр равным пяти (изначально было 7нс)
17) Bypass Max – еще один параметр, который не дал прироста в производительности. О сути этого параметра молчат и даташиты AMD и "всемирная паутина". Стандартный параметр 4х.

[Yagr]

MemSet30 поможет выставить тайминги из под Windows.
RightMark Memory Analyzer 3.7 для теста памяти.

[zloy_kaktus]

Поднимаю тему вверх

[AndyK]

zloy_kaktus, попробую нарыть в мире инфу

Row Cycle Time (Trc) – Auto-Refresh Command Period (по терминологии AMD). Стандартными значениями являются 70нс или 7 тактов для частоты 100МГц, 65нс (8 тактов) для 133МГц, 60нс или 10 тактов для 166МГц и 55нс или 11 тактов для частоты 200МГц. В A64Tweaker его значение отображается в тактах. Ужесточение этого тайминга на один такт приносит прирост в два балла встроенного бенчмарка WinRAR. Согласен, мало, но ведь это только один такт и только один тайминг.

Row Refresh Cycle Time (Trfc) – Auto-Refresh Command Period (по терминологии AMD). Стандартными значения являются: 80нс или 8 тактов для 100МГц, 75нс или 10 тактов для 133МГц, 72нс или 12 тактов для 166МГц и 70нс или 14 тактов для 200МГц. Уменьшение тайминга на единицу дает один-два балла в WinRAR.

RAS to RAS Delay (Trrd) – Active-to-Active of a Different Bank (по терминологии AMD). Стандартные значения: 2 такта для 166МГц, 2-3 такта для 200МГц. Ужесточение тайминга с трех тактов до двух не подарило мне ни одного балла в WinRAR. Детальная проверка выяснила, что на скорость памяти этот тайминг либо не влияет, либо влияет очень незначительно.

Non-SPD Timings

Write Recovery Time (Twr) – этот тайминг имеет стандартные значения 2 такта для 100 и 133МГц и 3 такта для 166 и 200МГц. A64Tweaker изменяет Twr в интервале 2-3, не более. Прироста производительности после уменьшения тайминга до двух тактов зафиксировано не было.

Write to Read Delay Time (Twtr) – может принимать значения 2 такта для 200МГц и 1 такт для прочих частот. Диапазон значений программы этими двумя и ограничивается. На моей системе при достаточно фривольных таймингах установка значения "1" вызывала перезагрузку. После установки модулей памяти A-DATA DDR-500 CL2.5, один такт установить все же удалось. Прирост составил 2 балла WinRAR. Да уж...

Read to Write Delay Time (Trtw) – По поводу этого тайминга AMD даже разродилась таблицей (а бывает это не часто ). много бла-бла-бла

Ужесточение тайминга с трех тактов до двух подарило 3 балла в WinRAR.

Refresh Rate (Tref) – устанавливается в пределах 100МГц 15.6us – 200МГц 1.95us и при этом ни на что не влияет. Да уж, произнес я во второй раз.

Read Write Queue Bypass – имеет стандартное значение 8х. Повышение/понижение его на производительности не сказывается.

Controller Mode – имеет два значения, 64 бит означает одноканальный доступ к памяти, 128 бит, соответственно, двухканальный. Полезна эта опция может быть только обладателям систем на 939-ом сокете, желающим смоделировать режим работы с памятью сокета 754.

Error Correction Code (ЕСС) – модус коррекции ошибок, простым смертным не нужен. Прироста не дает .

2T Timing – имеет два значения. Disable включает параметр 1Т в контроллере памяти процессоров на степпинге CG и выше. При этом доступ к памяти значительно ускоряется, но появляются проблемы с некоторыми модулями памяти. Параметр Enable задействует режим 2T.

Bypass Max – еще один параметр, который не дал прироста в производительности. О сути этого параметра молчат и даташиты AMD и "всемирная паутина". Стандартный параметр 4х.

Max Async Latency – этот довольно непокорный параметр отсылал тестовую систему на перезагрузку при любом его изменении. Выставив этот параметр равным пяти (изначально было 7нс) на системе, схожей с основной тестовой (см. ниже), я получил пророст в 8 баллов бенчмарка WinRAR.

Read Preamble имеет стандартное значение 5.5-6нс. Каждые 0.5 "стоят" 6-7 баллов WinRAR.

Idle Cycle Limit – стандартная установка 16 clks, на некоторых матерях 256 clks. При разгоне абсолютно ни на что не влияет.

Dynamic Idle Cycle Counter – аналогично.

MEMCLK Frequency – он будет уж точно интересен для обладателей памяти DDR333. БИОС многих плат не позволяет выставить для них параметр выше, чем SPD, несмотря на то, что память может уверенно работать на частоте 200МГц. С помощью MEMCLK Frequency можно принудительно выставить нужную частоту.

MEM CLK x – это опция, которая дает возможность отключить неиспользуемые слоты памяти. Это может оказаться полезным при разгоне с подъемом питания.



ЕСЧО НАДО??

[zloy_kaktus]

AndyK, у меня почти никогда не бывает мира...
хотя я пробовал искать... мануалы в основном от биоса и на английском... и написано там про каждый пункт по два слова...
----------
если собрать все ... думаю будет очень полезная информация для всех...

[AndyK]

zloy_kaktus, лови есчо

Скрытый текст
Вы должны войти под своим логином или зарегистрироваться и иметь 25 сообщение(ий)

Правила форума | Регистрация на форуме

Предупреждение: увидев этот блок скрытого текста, не стоит сразу бросаться набивать бессмысленные сообщения. Освойтесь на форуме, проникнитесь его атмосферой и пишите, если Вам действительно есть, что сказать. Если Модератор решит, что Вы набиваете сообщения, он удалит их все, а Вам выдаст либо предупреждение, либо сразу заблокирует Ваш аккаунт.

Вообще при разгоне пользуюсь научным методом "тыка" (естно перечитав массу бумажек), кроме правда напруги (ее стараюсь не трогать без надобности), при этом мне аааабсолютно все равно что эти настройки делают (если не откровенно убивают машину) , все равно буду крутить и мерять попугаи, больше - оставлю. Меньше, глючит - возвращаю на место. Потом зато могу со своего опыта поделиться с людьми.
Есчо не очень люблю софтовый разгон, хз чего там софтописатели накатали (может еще и с глюками). Хоть и не пренебрегаю юзать разгонялки для видях к примеру.

Добавлено через 11 минут
А вот есчо, просто чтоб инфы куча была, там разберетесь

Содержимое SPD


Как известно, в EEPROM-микросхеме SPD, устанавливаемой на модули памяти, зашиты все данные про модуль. Так вот, иногда содержимое SPD может не позволить снизить тайминги ниже определенного предела. Подобные предупреждения содержатся, например, на сайте OCZ Technology, производителя «оверклокерской» памяти.
К сожалению, с этим ничего сделать невозможно. Следует просто иметь в виду, что прошитая в SPD информация бывает ограничивающим фактором.

На видеокартах SPD отсутствует и его заменяет BIOS. В нем также указываются различные условия работы памяти. Поэтому иногда можно добиться большего результата в разгоне видеопамяти, перепрошив другой BIOS. Особенно это помогает владельцам карт на чипе R300 (Radeon 9500/9700), когда на едином дизайне PCB существуют карты с множеством вариантов чипов памяти (от Infineon 3.6ns до Samsung 2.8 ns). Смена BIOS на аналогичный от карты с другими чипами в некоторых случаях помогает раскрыть потенциал чипов, повысив предел разгоняемости. Это справедливо и для других видеокарт, R300 лишь самый яркий пример. Увы, отсутствует общий принцип, по которому можно определить, что смена BIOS поможет в разгоне. Можно лишь посоветовать начинать эксперименты, если вам кажется, что память на карте работает слабовато.

Итого: на некоторых модулях прошитая в SPD информация может ограничивать минимальные тайминги, но увы, это неисправимо. При плохом разгоне памяти видеокарты следует попробовать другие версии BIOS.

Контроллер памяти


На разгон модулей оперативной памяти также влияет связка «материнская плата + процессор», а точнее — используемый контроллер памяти.
В принципе, главным образом влияние оказывает наличие двухканального доступа к памяти. В таком режиме разгонный потенциал модулей резко падает. Именно поэтому самые счастливые сегодня люди в этом плане — обладатели Athlon 64 (не-FX). Они могут получить без потери производительности (А64 все равно имеет одноканальный контроллер) высочайшую частоту работы памяти. Скажем, почти непреодолимые на двухканальной платформе Intel DDR600 (а делать такие вещи в одноканальном режиме не очень то и хочется, падение производительности очень приличное), для AMDшников особых проблем при прямых руках не составляют.
Если сравнивать разные двухканальные чипсеты, то разница разгона памяти в таком режиме между, скажем, Canterwood и nForce 2 незначительна, если только не ограничивается разгоном самого nForce 2 (выше 250МГц по системной шине этот чипсет заставили работать считанные единицы).

Еще один момент, связанный, кажется, с особенностями контроллеров памяти. На двухканальных чипсетах, особенно под платформу Intel, лучшие результаты достигаются при установке модулей в первый и третий слоты DIMM, а не во второй и четвертый. В любом случае, желательно устанавливать модули всегда в самые ближние к процессору слоты, как того позволяет конструкция материнской платы.

Видеокарт данный фактор не касается в принципе.

Итого: при двухканальном доступе к памяти предел разгона оперативной памяти снижается, что конечно же компенсируется ростом производительности.

Охлаждение


Фактор, который пошел бы одним из первых, описывая я разгон процессоров или графических ядер, во влиянии на потенциал работы современной памяти играет очень второстепенную роль.

Дело в том, что память DDR слабо реагирует на изменение температуры. Если нет серьезного перегрева, то усиленным охлаждением можно достичь лишь весьма небольших улучшений в разгоне. Особенно это заметно на оперативной памяти, которая совершенно одинаково работает с радиаторами и без таковых. Разве что на частотах от DDR550 я бы рекомендовал устроить хоть какой-нибудь обдув модулей, просто ради душевного спокойствия.

Теперь что касается видеокарт. Пассивные радиаторы на чипах уже стали почти стандартом. А карты с памятью стандартов DDR-II и GDDR-II вообще не могут обходиться без радиаторов из-за высокого нагрева чипов.
Если вы практикуете вольтмоддинг, то крепление радиаторов на видеопамять будет вообще почти обязательным требованием. С другой стороны, никаких бОльших мер принимать необходимости нет — даже «великие гуру» не используют ничего, кроме радиаторов с дополнительным обдувом обычным вентилятором. Водяное охлаждение и даже более экстремальные методы не дают практически никакого прироста для памяти корпусировки BGA. Уточнение сделано специально: многие с ностальгией вспоминают времена GeForce 3, когда хорошее охлаждение TSOP-чипов (желательно с минусовыми температурами) давало отличный результат.

Итого: вопрос охлаждения для оперативной памяти не стоит. Стандартные теплорассеиватели + обдув вентилятором это максимум, который может пригодиться даже при экстремальном разгоне. С видеопамятью на современных картах ситуация аналогична, воздушное охлаждение прекрасно справляется с поставленной задачей.
Справочная информация


Соотношение времени доступа и штатной тактовой частоты чипов памяти выражается очень простой формулой: 1000 / (время доступа в нс) = Тактовая частота SDR, МГц. Для получения привычных DDR нужно полученный результат умножить на 2.
Пример: проверим тактовую частоту у 2.8 нс чипов. 1000 / 2.8 = 357.1МГц. То есть 715DDR.

Аналогичным образом считается обратная операция, определение необходимой памяти для достижения определенной частоты. Формула: 1000 / (тактовая частота SDR, МГц) = Время доступа, нс.
Пример: высчитаем необходимую «нановость» для памяти стандарта DDR500. Для этого делим 1000 на соответствующую SDR-частоту (250МГц). 1000 / 250 = 4 (нс).

А для самых ленивых привожу уже готовую таблицу по соотношению этих двух параметров (указаны SDR-частоты):

8ns, 125 МГц;
7,5ns, 133 МГц;
7ns, 143 МГц;
6,5ns, 150 МГц;
6ns, 166 МГц
5,5ns, 183 МГц
5ns, 200 МГц
4,5ns, 222 МГц
4,3ns, 233 МГц
4ns, 250 МГц
3,6ns, 275 МГц
3,3ns, 300 МГц
3ns, 333 МГц
2,8ns, 350 МГц
2,6ns, 375 МГц
2,5ns, 400 МГц
2,2ns, 450 МГц
2ns, 500 МГц
1,8ns, 550 МГц
1,6ns, 600 МГц
1,4ns, 700 МГц
1,2ns, 800 МГц.

[zloy_kaktus]

Если у кого-нибудь нормальная тестолка для памяти..? по мои тестам после разгона производительность увеличилась 10 процентов...

[AndyK]

zloy_kaktus, Дык RightMark Memory Analyzer нормально тестит, протестил, записал куданить результаты, разогнал память или тайминги покрутил - опять потестил и сравнил с тем что на бумажке до этого записывал.

[zloy_kaktus]

я без бумажек обошелся..)
read - прирост ~600 mb/s .., 9%
write - прирост ~600 mb/s .., 9%
read w/PF - прирост ~300 mb/s .., 11%
write NT - прирост ~850 .., 25%
слева до.., справа после разгона...

[AndyK]

zloy_kaktus, чем тестил?

[zloy_kaktus]

AndyK, RightMark Memory Analyzer тыж сам написал..))

[AndyK]

Оффтоп

Оффтоп

zloy_kaktus, Сорри тупанул

[Denver]

У меня две планки...
одна на 512 ddr а другая на 256 ddr разъемы на 3200
когда вставлена одна на 512... write и read по ~1500 мег в секунду
когда вставлена одна на 256... write и read по ~5000 мег в секунду
когда вставить две планки сразу... wite 1600 a read 900 мег в секунду...
КТО МОЖЕТ ОБЪЯСНИТЬ ЭТО ЯВЛЕНИЯ..?[I]

[Toxic]

Denver, выкинь прогу которой тестишь. 5Гб в сек больно жирно тебе

[Denver]

Toxic,

Скрытый текст
Вы должны войти под своим логином или зарегистрироваться и иметь 25 сообщение(ий)

Правила форума | Регистрация на форуме

Предупреждение: увидев этот блок скрытого текста, не стоит сразу бросаться набивать бессмысленные сообщения. Освойтесь на форуме, проникнитесь его атмосферой и пишите, если Вам действительно есть, что сказать. Если Модератор решит, что Вы набиваете сообщения, он удалит их все, а Вам выдаст либо предупреждение, либо сразу заблокирует Ваш аккаунт.

[Toxic]

Denver, похоже на погоду на Марсе

[Denver]

Toxic, а сколько по твоему должна быть средняя скорость..?

[AndyK]

Denver, чет по памяти... пиковая около 7Гигов. нуна нарою точнее. Средняя около 3000 - плюс, минус зависит от памяти и матери

[Toxic]

Denver, max ~3200.

[AndyK]

Toxic, В противовес сказанному, в синтетике вообще страшные цифири выдает